亿光：德国联邦专利法院判定首尔半导体'983专利无效
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根据亿光电子2020.7.13官网公告，其与韩国首尔半导体之专利无效诉讼，德国联邦专利法院判定首尔半导体专利无效。
关于亿光电子(Everlight Electronics)联合光鋐科技(Epileds Technologies)对抗首尔半导体公司(Seoul Semiconductor)之间专利诉讼案，起始于2018年3月14日亿光及光鋐向德国联邦专利法院(German Federal Patent Court)提起专利无效诉讼，控诉首尔半导体(Seoul Semiconductor)欧洲专利号EP1697983(德国专利号DE60341314.5)全部权利项应属无效。该专利属于垂直芯片表面粗化技术。
2020年7月2日，德国联邦专利法院作出判决，判定首尔半导体欧洲专利号EP1697983(德国专利号DE60341314.5)全部权利项无效。依据法院判决，本案诉讼费用由首尔半导体负担。亿光及光鋐对此判决结果表示肯定。
关于EP1697983
该EP1697983专利原始专利权人属于加州大学基金会(The Regents of The University of California)及日本JST协会，后来才移转给首尔半导体。
专利摘要：基于氮化镓（GaN）的发光二极管（LED），其中光通过LED的氮面（N面）（42）提取，并且N面（42）的表面粗糙化为一个或多个六角形的锥。 粗糙的表面减少了在LED内部反复发生的光反射，从而从LED中提取了更多的光。 N面（42）的表面通过各向异性蚀刻而被粗糙化，该各向异性蚀刻可以包括干法蚀刻或光增强化学（PEC）蚀刻。