碳化硅SiC小档案》第三代半导体材料 可取代部分硅晶圆
自由时报
https://ec.ltn.com.tw/article/paper/1353343
碳化硅（SiC）是第三代半导体材料，具备高导热性、高穿透率、高饱和电子漂移速率和
宽能隙能等特性，可满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频、微型轻量化，以及
抗辐射等恶劣条件的新要求，是安定度非常高的化合物半导体。
至于应用面，以碳化硅制成的碳化硅晶圆（片）在效能上比目前硅晶圆表现更佳，多应用
在高压高速产品，如高铁、风力发电系统等重电设施，但未来在自驾车以及电动车的趋势
下，碳化硅晶圆的高散热优势，即可取代部分硅晶圆，成为未来的发展趋势
（记者张慧雯）