三星跳电意外 助涨内存
UDN
https://udn.com/news/story/7240/4262526
全球最大内存制造厂韩国三星电子位于华城的工厂在元旦发生意外，引起全球紧张，三
星在华城生产DRAM和储存型快闪存储器（NAND Flash），以及采用极紫外光（EUV）的逻
辑代工三大事业，尽管三星表示，会在最短时间内恢复生产，但市场正密切注意后续复工
，预期这项停工恐助涨DRAM和NAND Flash本季涨势。
外电报导，三星位于韩国华城的工厂，在跨年夜发生短暂跳电，华城厂区内的部分工厂短
暂停电，后来立即恢复供电，但三星仍决定停工进行产线检查，在了解受损程度后，希望
在最短时间内恢复生产。推估至少要二到三天。
外电透露，三星华城厂区这次跳电事件，影响的包括生产DRAM 的 Line 12 产线，和生产
NAND Flash 的 Line 13 产线，另外，还有采用 EUV 技术生产逻辑芯片。
市场人士估计，三星华城的DRAM和NAND Flash产线，虽然设立已有一段时间，但也是三星
DRAM和NAND Flash主力产线，至于采用EUV先进设备的产线，制程较新，影响更为严重。
至于为何发生跳电的原因，目前并不清楚。一般而言，晶圆厂的供电系统都设计有两套回
路，分别由两个不同的变电所来供电，降低因意外而发生跳电的风险。不过，如果发生大
规模的天然灾害，例如地震而导致电厂停止运转的情况，这部分就另当别论。因此，这次
韩国三星华城厂区在无发生重大天然灾害情况，却发生跳电，这部分也是三星内部必须停
工检查的主要关键。
不过，去年日本东芝位于三重县的厂区因地震发生跳电，经历长达半年才恢复生产，造成
市场NAND Flash供货短缺，去年7月NAND Flash现货止跌急涨，去年第4季和今年第1季价
格也喊涨，三星华城厂跳电，如果停工期拉长，也势必影响整体DRAM和NAND Flash供应。
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