日经：中国内存芯片产量 明年将占全球5％
自由时报
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〔财经频道／综合报导〕按《中国制造2025》规划，中国拟在2020年实现芯片自给率40%
，而有消息人士透露，受迫于美国的贸易制裁，中国在内存芯片生产方面，有望从去年
几乎为零的产量，在2020年底前达到全世界产量的5％。
《日经新闻》今（20）报导，消息人士透露，中国芯片业在美国贸易制裁压力下，正加紧
内存芯片生产，如中国内存芯片厂长江存储预计，于2016年开始建设并耗资240亿美
元的武汉新工厂，到明年年底的NAND Flash快闪存储器月产量将增加3倍，达每月6万片晶
圆，约占世界总产量的5％。
同时，长鑫储存技术（Changxin Memory Technologies）也计画在位于合肥的工厂中，将
DRAM芯片的月产量增加4倍，达每月4万片晶圆，占世界DRAM产量的3％。
一位消息人士表示，目前中国都在小规模生产NAND Flash快闪存储器和DRAM芯片，但生产
品质正在提高，从现在到明年，中国的公司肯定都在扩大生产。
长江存储拒绝评论其产量，只称该公司已于9月开始生产64层NAND Flash快闪存储器，并
将根据公司的计画增加产量。长鑫储存技术拒绝发表回应。
据报导，NAND Flash快闪存储器和DRAM芯片生产，目前均由美国、韩国和日本的制造商主
导，如三星电子、SK海力士、美光和Kioxia（旧称东芝内存），而两种芯片全世界的总
产量，每月约130万片晶圆。