日韩贸易战加剧，日本管制关键高纯度氟化氢等应用在极紫外光（EUV）原料输韩，直接
打乱三星冲刺7奈米以下先进制程布局，预料受原料管制趋严下，三星要藉冲刺先制程抢
食台积电晶圆代工大饼的难度大增，并加速台积电拉大和三星差距。
日本限制光阻剂、高纯度氟化氢及聚酰亚胺等关键半导体原料输韩，虽然韩国半导体厂仍
可透过专案审查程序申请，但进口时程将由过去简化程序拉长至90天（专案审查期），包
括三星和SK海力士除均对外收购既有三项原料存货外，也透过专案申请、加速他厂认证双
管齐下，希望将冲击降至最低。
半导体业者表示，由于目前三星和海力士内存库存仍高，日本管制光阻剂等三项半导体
原料输韩，韩厂可将生产快闪存储器（Flash）的原料转去支援利润较高的DRAM，并趁机
抬高价格、消化库存，对三星和全球DRAM供给，短期还不会构成太大影响。
不过，日本厂商生产用于先进制程的高纯度氟化氢，目前替代厂商占比极低，将直接冲击
三星在半导体先进制程布局。
据了解，三星稍早也曾透过台湾厂商转手卖给三星，不过台厂担心台韩出口高纯度氟化氢
，将遭日本原厂发现异常，拒绝这项交易，让三星吃到闭门羹。
高纯度氟化氢是在采用极紫外光（EUV）进行光罩制程时，要让积体电路精准对位的蚀刻
材料，而三星也靠着7奈米制程导入EUV微影设备并成功抢下高通和辉达等前往下单的重要
利器。
如今日本管制这项原料输韩，虽然三星正自行生产这项关键化学品，但这又等于让制程良
率增添变量，而且三星也是领先全球把EUV设备导入生产更先进的DRAM产品的大厂。
半导体业者分析，三星发展7奈米以下制程受阻，未来要追赶台积电，得花费更大的财力
和物力 ，日韩贸易战其实反而助攻台积电拉大和三星差距。
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