晶圆代工龙头台积电制程推进再下一城，除5奈米已顺利试产并计画明年量产外，量产一
年后将再推出效能及功耗表现更好的5+奈米，直接拉大与竞争对手的技术差距。
台积电上半年遇到半导体生产链库存调整，导致第一季营运表现不尽理想，但第二季以来
7奈米投片量明显回升，等于为下半年营收大幅成长打好基础。
由于竞争同业无法在7奈米制程上提供足够产能及更好的良率，台积电几乎拿下7奈米市场
全部晶圆代工订单，而且今年还预计会有超过100款新芯片完成设计定案（tape-out）。
台积电7+奈米第二季进入量产，并为华为海思生产研发代号为Pheonix的新款Kirin 985手
机芯片。由于EUV是未来先进制程微影技术主流，台积电现阶段EUV设备光源输出功率280W
，预计年底将提升至300W，明年再升至350W。光源输出功率提升也带动设备稼动时间比率
（uptime），由去年的70％提高至今年的85％，明年应可达到90％水准。
虽然7奈米制程仍依循摩尔定律推进，但台积电已发现芯片尺寸上出现两极化发展，应用
于行动装置的7奈米芯片尺寸缩小至100平方公厘以下，而高效能运算（HPC）的7奈米芯片
尺寸却大于300平方公厘。台积电也开始针对大尺寸芯片追踪芯片缺陷密度，这有助于加
快走完5奈米及更先进制程学习曲线。
台积电日前宣布将推出6奈米制程，主要采用与7奈米相容的设计规则及硅智财模型，但会
比7+奈米多一层EUV光罩，芯片密度则会提升18％。6奈米推出的时间较晚，明年第一季才
开始进入风险试产，而且是在明年5奈米量产之后才进入量产，主要是让还不想进入5奈米
技术的客户，可以提供低风险的设计微缩，并让7奈米芯片采用者有一个降低成本的选项
。
台积电针对5奈米打造的Fab 18第一期已完成装置并顺利试产，预期明年第二季拉高产能
并进入量产。与7奈米制程相较，5奈米芯片密度增加80％，在同一运算效能下可降低15％
功耗，在同一功耗下可提升30％运算效能。
台积电在5奈米导入极低临界电压（ELVT）电晶体设计，在ELVT运算下仍可提升25％运算
效能。台积电也将在5奈米量产后一年推出5+奈米，与5奈米制程相较在同一功耗下可再提
升7％运算效能，或在同一运算效能下可再降低15％功耗。5+奈米将在2020年第一季开始
试产，2021年进入量产。
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