三星电子开发出第三代10奈米级DRAM
http://bit.ly/2FueZOU
据韩媒报导，三星电子已开发出业界首款第三代10奈米级（1z-nm）8 Gb双倍数据速率（
DDR4）DRAM，准备来抢DRAM高端市场。
该公司表示，开发10奈米级1z-nm 8 Gb DDR4，在不使用Extreme Ultra-Violet（EUV）处
理，它已经突破了DRAM扩展的极限；与之前版本的10-nm DRAM相比，新DRAM的制造生产率
提高了20％以上。同时，仅花了16个月就突破技术，将批量生产第二代10奈米级（1y-nm
）8 Gb DDR4提升到第三代10奈米级DRAM。
新的DRAM有望帮助三星增强其业务竞争力，巩固其在高端DRAM市场的领先地位，应用于包
括服务器、图形和移动设备等。
三星特别强调，该基于第三代10-nm级（1z）DRAM的PC DDR4模块已达到所有全球中央处理
器（CPU）制造商的评估标准，能够满足全球IT客户需求。
三星计划在今年(2019)下半年批量生产该产品，以适应预计将于2020年推出的企业用下一
代服务器和高端PC。该1z-nm DRAM也将为下一代DRAM接口（如DDR5，LPDDR5和GDDR6）的
过渡铺路，这些接口将为未来的数位化新兴产品提供服务。
目前，全球DRAM市场不佳，主要受到几个因素的影响：全球经济趋缓、美中贸易战、
Intel的CPU缺货问题未改善、智慧手机销售不如预期，再加上服务器库存调整，消费者对
景气缺乏信心，这些因素，都影响到内存的市况。目前，美光已经宣布内存减产，以
缓和市场供过于求的问题。