※ 引述《sendtony6 (TY)》之铭言：
: ※ 引述《jfsu (水精灵)》之铭言：
: : 原文的推文中，其实多少有提到两者的差异性。
: : 这样说好了，DRAM或是其他所谓的内存制程，所注重的是〔前段制程〕，
: : 即重视元件的制作。逻辑IC所注重的是〔后段制程〕，也就是金属连接线之间的处理
: : 例如，使用铜制程或是Low-K的材料减少RC delay，或是使用High-K/Metal-K来减少
: : 电晶体闸极漏电流或是加快切换速度。
: : 台湾的内存公司并不会将太多的人力投注于后段部份，毕竟，内存产品的重点是在
: : 记忆元件(或是称为记忆细胞(cell)，如同大家所熟知DRAM的1T+1C的架构。公司会研究
: : 你要用沟渠式(trench)或是堆叠式(stack)去长出好的电容，毕竟，这是DRAM cell的
: : 精华所在，如果连cell都长不好，遑论其他的部份。至于DRAM cell以外的周边电路
: : 只要可以正常操作就已足够，因为公司也没太多钱让你去烧...。
: 呵，小弟刚好略懂略懂
: 这个问题大概每隔一阵子就会人问
: 然后就不了了之
: 我刚出来混的时候也有过相同的疑问，跑去问在逻辑厂工作15年经验的学长
: 只得到一个很简单的答案 : 因为dram layout简单啊，所以台湾才被打趴
: 那既然这样，为什么5毛没有打趴韩狗人???
: 拿这两个制程来相比，硬要说谁比较难，其实很像在问岳飞打张飞
: 这个问题要从电脑的架构开始说起，电脑的架构是冯纽曼设计与实现的
: CPU+Dram+硬盘 是这个架构的最根本
: 彼此无法互相取代彼此的功能
: CPU就像工人
: Dram是工人的工作台
: 硬盘是工人的抽屉或仓库
: 当一个指令来的时候，工人负责运算，运算期间的半成品或结果需要暂时放在工作台上
: 当完成后的成品则是会送到硬盘存起来
: 所以前面有人说 nand flash可以取代dram，只能说那是不可能的事
: 因为你可能没搞清楚什么是flash
: nand flash的功能是硬盘的功能
以上，没意见。
: 有人说dram重前段，逻辑重后段，这个话其实不对，dram几家大厂早就引进铜制程了
: 真的要来比low k材料，逻辑可能还输dram(三星有一篇用air gap专利来当low k，好啦，
: 其实美光海力士都有)
DRAM 重前段、逻辑重后段，我觉得这样说是合适的，DRAM layout 单纯也是事实。
应该说 DRAM 重 patterning ; Logic 关心的是 loading effect
DRAM 厂在 2x nm，大约5年前，才有第二家或第三家导入铜制程，而且是买授权的。
说不定还有公司在用阿噜密 ; 逻辑厂的铜制程..至少都用了15年以上
Air gap..也算先进??最后的 metal 用 key-hole 降低一点点 RC delay 吧，呵呵
三星比较厉害的是 patterning。BL SW 的 Air Spacer、四次曝光图案的能力以及
Row-Hammer 的测试...
: 所有的介电常数应该没有比空气更低了吧
: 我只能说各有千秋，这样比意义不大
: : 这些制程考量的差义，自然而然就会反应在电路设计上。
: 这个你说反了，其实是因为功能性不同，所以电路设计就会不同，导致制程上有差异
: 因为功能不一样(一个是工人，一个是工作台)，所以电路设计上逻辑不需要电容，少了一
: 个电容结构，制程上就完全不一样，就像flash多一个浮动闸极，制程上也完全不一样
: : (一个使用全新的制程所设计的内存产品从design start到Tapeout可能需要8~12个月
: 没有喔，一个dram世代开发至少要2年
DRAM 会比 Logic 先走到尽头，可能在目前三星的 1z，目前往多 chip 堆叠来走
: : 相对而言，逻辑产品可能就短的多了)
Logic 后面就是拼钱了，没钱的不是都退出了??
: : 再者，你也提到一个差异点，好比我们称这是XX奈米的制程，这些数字:
: : 对逻辑产品而言，指的是电路布局上的闸极宽度(gate length)
: 呃，其实对一半，xx奈米制程还要考虑电路中相邻两条线最短的距离(俗称: weak point)
: 所以不完全是指STI的宽
逻辑线宽的定义是 Poly length。但从 28 nm以下，有新的定义。
: : 对DRAM产品而言，指的是二分之一的pitch (spacing + width)
^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
这是对的，DRAM 是用 F: Feature size 来定义世代
: 不是哦，dram的xx奈米指的是cell内电容的面积或是闸极的宽度
^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^ 这还蛮扯的，
定义从2D变3D(面积)
: 因为只有cell越小，能存的数据多工作台才会越大
: : 对Flash产品而言，指的是相邻两个浮动闸极(floating gate)的距离
: 好像也不太对。。。Nand flash的xx奈米就是闸极宽
: : 这些都是不同的意义。(搞不好，有些人都分不清上述的区别！)
: 简单来说，xx奈米都是指在该制程上线宽的极限，只是这个极限值有可能是在STI or 电
: 路 or cell 上
: 不见得都是指电晶体就是了
: : 另外，台积当然可以搞个DRAM制程。别说是DRAM, Flash/PCM/ReRAM也都没问题，毕竟
: : 这些内存产品都是相容于CMOS制程，差在于多几层光罩而已。(当然啦，多这几层光
: 罩
: 我只能说概念对了，但是不是只有差在光罩而已
: 你叫台积立马做一个像三星这样只有面积16奈米但是高度要1.2um的结构出来
: 你在逻辑理面是不可能看到这种结构
这几年要挖电容真的不难，机台已经很先进(~1y世代)，买对了基本上就盖一半了。
DRAM 相对于逻辑还是便宜，要喝牛奶不需要自己养牛，去买就好。
不用牺牲 Logic 很贵的面积，去塞 eDRAM 这是种浪费，而且 1+1 成本大于 2 很多
不然，三星 Logic 号称 7nm，DRAM 内存 10nm(1z)，早就兜再一起了
: 如果那么简单，5毛应该早就超英干美干韩了
5毛 可能比你想的还厉害，不然美国不会这么紧张毁灭式的阻止
: : 就能搞得你不要不要的~~)
: : 只是，这要花多少钱？毕竟公司是以赚钱为目的，内存市场的代工利润是不是够好？
: : 产能利用率高不高？市场在哪边?....等等许多因素要考虑。韩国，如三星，几乎是
: : 倾尽国力去support这家公司，光是研发费用可能就远远超过台湾所有DRAM厂的某N季
: : 的总营收...
: : 台湾DRAM厂多半只能寻求欧美日的结盟，签签技转，空个产能出来...毕竟现在
: : 要赶上世代的落差已是不可能的事...。
: 我只能说，你想的太简单了，逻辑可以客制化，dram当然也可以
偷偷告诉你 DRAM 的客制化，如果你知道 mobile DRAM 与 标准型的差别，
多半只在那三层的 BEoL 以及特殊功能的 Periphery，而 Cell 能动的不多。
: 南华亚也都有客制化的商品
: 客制化不见得是要最新的技术
: 总而言之，台湾dram厂会挫败原因不是因为dram制程简单，而是因为一开始走的路线就错
: 了，没有自主开发(惯老板只想赚快钱，才会被三爽打趴)
: 后面就只好赚辛苦钱，赚来的钱又拿去买专利，如果对手削价，整个就爆炸了
: (其实三爽的七伤拳自己也是伤很重，只有消费者真的赚到)
: 逻辑厂一开始就是自主开发，所以才会造就gg帝国
: 如果逻辑厂一开始也是靠买专利，搞不好死的比dram还快
: 因为逻辑厂没单就是死路一条，dram厂还可以作起来放著等价码好再卖(银根够厚的话，
: 所以有富爸爸的南亚还活着)
: 以上如果有错，欢迎高手指正