抢人偷技术没用 中试产DRAM全败
2017-09-26
合肥睿力、福建晋华等厂 出现零良率惨状
〔记者洪友芳／新竹报导〕中国砸大钱补助逾千亿人民币强力扶植半导体业，不仅重金挖
角台湾人才，甚至屡传被高薪挖角者涉嫌偷窃技术；业界传出，中国宣告要进军ＤＲＡＭ
（动态随机存取内存）的合肥睿力、福建晋华等厂，近期试产皆告惨败，砸钱挖角却因
技术不足，用偷的根本没用，中国发展ＤＲＡＭ产业大梦恐寸步难行。
中国近年挖角我ＤＲＡＭ业界人才一波接一波。华亚科前董事长高启全、前总经理梅国勋
纷跳槽紫光集团，华亚科主管与工程师掀起一波出走潮；除紫光外，从华亚科退休的资深
副总经理刘大维等一票人跳槽合肥长鑫（睿力集成电路），预计明年切入十九奈米制程生
产ＤＲＡＭ；曾任力晶资深副总经理、瑞晶总经理的陈正坤，加入联电并出任策略合作的
福建晋华ＤＲＡＭ厂总经理，联电接受晋华委托开发ＤＲＡＭ相关制程技术，预计生产三
十二奈米制程的ＤＲＡＭ。
但中国半导体砸钱挖人还是不管用，紫光先后对ＤＲＡＭ大厂美光、ＳＫ海力士收购邀约
被拒，发展ＤＲＡＭ暂告胎死腹中；紫光已并武汉新芯组成长江存储，发展三Ｄ储存型快
闪内存（NAND Flash）厂，联电前执行长孙世伟、联电新加坡厂高阶主管林振堂也被网
罗，但能否建立自主技术与量产成功，也是未知数。
业界最近传出，中国宣告要进军ＤＲＡＭ的合肥睿力、委由联电开发ＤＲＡＭ相关制程技
术的福建晋华等厂，近期试产ＤＲＡＭ皆告失败，甚至良率出现零的惨状。
专利、人力双缺 中国DRAM梦难实现
业界分析，ＤＲＡＭ专利技术门槛高，韩国三星、ＳＫ海力士与美国美光三大ＤＲＡＭ大
厂技术防线守得紧、全力围堵，量产更是打工程人力的团体战，专利与工程人力两大条件
，中国都欠缺，光靠砸钱挖角，技术却无着落，用带枪投靠的“偷”技术方式根本没用，
中国要发展ＤＲＡＭ产业大梦恐难实现。
http://m.ltn.com.tw/news/focus/paper/1138322
没想到DRAM的技术跟台GG一样难偷，要是其他技术也这么难偷就好了