半导体资本支出创新高 DRAM增幅最大
（中央社记者张建中新竹1日电）研调机构IC Insights 预估，今年全球半导体资本支出
金额将达809亿美元，创下历史新高；其中，DRAM资本支出将激增53%，是增加幅度最大的
产品领域。
今年上半年半导体资本支出大幅增加，IC Insights将今年度半导体资本支出预估金额，
自先前的756亿美元，调高到809亿美元，较去年增加20%，将一举刷新历史新高纪录。
IC Insights预估，今年动态随机存取内存(DRAM)资本支出金额将达130亿美元，较去年
大增53%，将是增加幅度最大的领域；尽管这些支出主要用以推进技术，不过，海力士
(SK Hynix)也将增加产能。
储存型快闪存储器(NAND Flash)今年资本支出将达190亿美元，仍将高于DRAM的水准，也
将较去年增加33% ，IC Insights认为，NAND Flash的资本支出将主要投入3D NAND Flash
制程技术。
晶圆代工今年资本支出约228亿美元，将较去年略增4%，是半导体资本支出金额最多的领
域，所占比重将达28%。1060901
http://www.cna.com.tw/news/ait/201709010035-1.aspx