如题
请问大大知道Pattern Density effect吗?(也有人称为Loading effect)
知道Pattern Density与u-trench/fence/facet的关系吗?
Pattern Density 与EPD(End point detection)之间有何关系吗?
作者: dubian77 2017-07-30 00:34:00
哈哈 居然看的懂！台风天问这个真是有向学的心，我不是蚀刻，但是我觉得你问的问题paper 上有喔，试着找找看吧！
作者:
e76628 (两佰)
2017-07-30 00:38:00难得清流！ 加油
Clear ratio曝光后特定区域吃得慢叫Macroloading effect, 反之叫Microloading effect ?? 刚查到的, 我最近也suffered这问题一阵子~~
作者:
vmcld9 (vmcld9)
2017-07-30 13:10:00我的理解啦macroloading effect 是指etch时因为面积太小，所以吃不下去， loading effect 是因为die有些地方有pattern有些地方没有，所以在一起etch时，会吃不均匀～～sorry,请把macro改成micro
给你关键字 ARDE 与 RIE lag 有兴趣可以多看看第二个问题的话 通常来讲 PR在wafer上占的面积越少Endpoint越好抓原因是有显开的地方 才是主要蚀刻的部分 若蚀刻都在吃光阻 endpoint讯号是要抓什么XD
作者:
smartl (史玛特丸)
2017-07-30 18:40:00楼上EPD观念有问题唷。End point capture主要不是看hole内或trench内。主要是看hole外的by product或是反应物。
作者:
negohsu (专打不专业环团)
2017-07-30 18:49:00一般hole没有EP
对蚀刻而言哪有分hole的内外 外就是光阻 内就是没光阻才吃的下去 ep就是再抓没光阻的地方 gas跟被蚀刻物的反应物发出的emission spectra所以如果今天hole的open ratio足够大 , wafer上满满的洞 是有可能抓得到ep的这部分欢迎站内讨论 刚好最近有遇到相关的issue
作者:
negohsu (专打不专业环团)
2017-07-31 19:05:00一般来说hole要够多够大才有机会抓，一般的contact ,via就别想了。此外，有一种蚀刻过程中可以直接计算蚀刻深度的，忘了简写，也许有机会透过侦测PR thickness来当EP