英特尔昨（29）日召开技术及制造大会（Technology and Manufacturing Day），除了再
度宣布10奈米Cannon Lake处理器将在下半年开始量产，重申10奈米芯片集积度（density
）是同业的2倍，大声呛声技术领先台积电、三星等同业3年时间。
另外，英特尔也说明最新客制化晶圆代工（custom foundry）策略，以先进14奈米及10奈
米攻下在晶圆代工市场的滩头堡。
另外，面对台积电推出优化28奈米及16奈米技术的22奈米及12奈米制程，及格罗方德（
GlobalFoundries）22奈米全耗尽型绝缘层上覆硅（FD-SOI）制程，英特尔也推出22奈米
鳍式场效电晶体（FinFET）的22FFL制程，并将其视为进军晶圆代工市场的武器。
英特尔负责制造营运及业务的执行副总裁Stacy Smith，昨天在年度技术及制造大会中，
开宗明义强调摩尔定律仍然有效，且英特尔也因摩尔定律而维持技术领先地位。英特尔14
奈米制程虽然经历3个产品世代，但第三代14奈米制程（14++）生产的芯片运算效能，已
经很接近第一代10奈米制程。
Stacy Smith说，英特尔技术仍依循摩尔定律前进，如10奈米的处理器芯片尺寸已缩小至
7.6平方公厘，只有14奈米芯片的0.43倍。英特尔10奈米的最小闸极间距已缩小至54奈米
，最小的金属间距亦缩小至36奈米，而却可以在每一平方公厘芯片尺寸中，达到1.008亿
个电晶体的集积度，这不仅是14奈米的2.7倍，也是其它同业10奈米芯片集积度的2倍。
英特尔资深院士Mark Bohr指出，英特尔的制程微缩是跟着摩尔定律走，但部份同业在同
一芯片尺寸的集积度没有明显提升情况下，却喊出已推出10奈米或7奈米制程，让制程节
点的名称失去意义。若由金属及闸极间距、芯片集积度等指标来看，同业的10奈米只比英
特尔14奈米好一点，但仍远远落后英特尔10奈米约3年时间。
涂志豪╱台北报导