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联电自主研发的14奈米鳍式场效电晶体（FinFET）制程技术，已成功进入客户芯片量产阶
段。出货给主要客户的14奈米量产晶圆，良率已达先进制程的业界竞争水准，此制程将帮
助客户开拓崭新的应用于电子产品。
联电执行长颜博文表示：“此次14奈米量产里程碑的达成，是联电与客户携手努力的成果
，这象征了我们已成功地以合作模式，将先进技术导入市场。同时，我们与其他客户的合
作也在顺利进行中，将持续优化此制程，充分发挥14奈米FinFET在效能、功耗和闸密度所
具备的优势，以驱动次世代硅芯片于网络、人工智能和各类消费产品等各领域的应用。”
联电14奈米 FinFET制程效能竞争力已达业界领先标准，速度较28奈米增快55%，闸密度则
达两倍，此外，功耗亦较28奈米减少约50%。此14奈米客户芯片现正于联电台南的Fab 12A
晶圆厂生产中，未来将因应客户需求，稳步扩充其14奈米产能。（萧文康／台北报导）