我还真的认真去找相关新闻....
还真的不少InGaAs on Silicon的相关技术研究
http://electroiq.com/blog/2015/10/2015-iedm-slide-7-ingaas-nanowire-fets-on-silicon/
缩:http://tinyurl.com/zfczyp4
http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1326904
http://wccftech.com/intel-abandoning-silicon-7nm/
懒得翻译了 有兴趣的应该自然看得懂...
看起来过个几年Si通道会被换掉的机会相当高

目前业界的共识是NMOS采用InGaAs, PMOS采用Ge另外要把这薄博的一层InGaAs or Ge 放在Si上，目前除非用转印的，不然用磊晶的方式都不是很好的方法，(有buffer层)不考虑材料on Si的话, 其实三五族的Fin FET都有人弄出来了但是不一定是E-mode就是了，降低Dit还是很大的困难点

各位专业的大大，这样的作法近期可以很快的应用到产业上吗？还是还有一段时间?