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Re: [新闻] 重回摩尔定律两大武器 EUV+三五族成大
楼主:
ljsnonocat2
(平凡是幸福)
2016-04-11 10:47:42
我还真的认真去找相关新闻....
还真的不少InGaAs on Silicon的相关技术研究
http://electroiq.com/blog/2015/10/2015-iedm-slide-7-ingaas-nanowire-fets-on-silicon/
缩:http://tinyurl.com/zfczyp4
http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1326904
http://wccftech.com/intel-abandoning-silicon-7nm/
懒得翻译了 有兴趣的应该自然看得懂...
看起来过个几年Si通道会被换掉的机会相当高
作者:
jesues
(jesues)
2016-04-11 16:01:00
目前业界的共识是NMOS采用InGaAs, PMOS采用Ge另外要把这薄博的一层InGaAs or Ge 放在Si上,目前除非用转印的,不然用磊晶的方式都不是很好的方法,(有buffer层)不考虑材料on Si的话, 其实三五族的Fin FET都有人弄出来了但是不一定是E-mode就是了,降低Dit还是很大的困难点
作者:
yutaka28
2016-04-11 17:11:00
各位专业的大大,这样的作法近期可以很快的应用到产业上吗?还是还有一段时间?
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