75奈米1Gb 3V Nand Flash?!
吴敏求指出，高容量的Nor75奈米1Gb 3V Nand Flash在第1季送样。
到底是3V 还是3D, 你也说清楚点麻??
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旺宏目前开发出的3D NAND Flash，是采用75奈米 BE-SONOS charge-trapping技术，
透过组合8层结构单元，将每个单元内存(cell size)面积缩小至 0.0014 (μm)2，
几乎相等于采用25nm制程的浮闸(floating gate) NAND元件。
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三爽都出到 25nm TLC nand flash... 相同面积, 三倍容量 惨呀!!
作者:
ramper (ramper)
2014-05-01 00:57:00这ID据我观察常在批评旺宏 搜寻以往文章就可知 不知其心态
作者:
cafopupu (李俊畿㊣大帅哥㊣ ®™)
2014-05-01 02:17:00旺宏不错啊 子公司就…
作者:
sarau (我是男的)
2014-05-01 02:59:00你没头没尾的发一张文章骂 只会让人搞不清状况
作者:
sarau (我是男的)
2014-05-01 03:02:00更何况说不定是记者写错 就先骂 会不会太夸张点
作者:
jfsu (水精灵)
2014-05-01 04:15:002010的新闻。这篇paper蛮有趣的~建议可以找来看看
作者: Loy1023 (Loy) 2014-05-01 22:51:00
没听过股东自己在唱衰公司的 让手上股票变壁纸有比较好？
作者: Loy1023 (Loy) 2014-05-01 22:56:00
另外您的资讯需要更新一下 75nm不知道是多久以前的事了
作者:
horb (猴柏)
2014-05-08 02:38:00旺宏的内存是垂直推叠上去的 不像一般电路只能做在wafer表面 不过量产又是另ㄧ回事