75奈米1Gb 3V Nand Flash?!
吴敏求指出,高容量的Nor75奈米1Gb 3V Nand Flash在第1季送样。
到底是3V 还是3D, 你也说清楚点麻??
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旺宏目前开发出的3D NAND Flash,是采用75奈米 BE-SONOS charge-trapping技术,
透过组合8层结构单元,将每个单元内存(cell size)面积缩小至 0.0014 (μm)2,
几乎相等于采用25nm制程的浮闸(floating gate) NAND元件。
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三爽都出到 25nm TLC nand flash... 相同面积, 三倍容量 惨呀!!