Samsung 宣布量产全球首个3D垂直闪存V-NAND
http://digital.sina.com.hk/news/-7-1398104/1.html
Samsung 电子在存储技术上的领先的确无可匹敌,今天
又宣布已经批量投产全球第一个采用3D垂直设计的NAND
闪存“V-NAND”。这年头,3D堆叠已经成了潮流,处理
器、内存什么的都要堆起来。
Samsung 的V-NAND单颗芯片容量128Gb(16GB),内部采
用 Samsung 独有的垂直单元结构,通过3D CTF电荷捕
型获闪存技术、垂直互连工艺技术来连接3D单元阵列。
Samsung 称,这种新闪存的拓展能力是普通2xnm平面型
闪存的两倍以上,可靠性提升最少2倍、最多10倍,而
且写入性能也可达到1xnm NAND闪存的两倍。Tb(128GB)
级别的闪存芯片指日可待。
早在2006年, Samsung 就研发了CTF技术。在这种结
构的NAND闪存中,电荷被临时存放在氮化硅(SiN)材料
制成的非导电层上,而不是用浮动栅极阻断相邻单元
的干扰。现在, Samsung 又成功把这种结构推向了三
维层面。
此外, Samsung 自己研发的垂直互连工艺可以将最多
24个单元层堆叠在一起,并且使用特殊的蚀刻技术从
最高层到最底层打孔,实现各个层的电子互连。
Samsung 还骄傲地披露,经过十多年的研发,他们已
经在3D存储技术上拥有300多项专利。
Samsung 的V-NAND闪存广泛适用于消费电子和企业级
应用,包括嵌入式NAND存储、固态硬盘。