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作者: coldman519 (我歌月徘徊 我舞影凌乱) 看板: Gossiping
标题: [新闻] 台积放话 2017追上英特尔
时间: Tue Apr 23 18:05:34 2013
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工商时报【记者涂志豪、王志煌╱台北报导】
台积电共同营运长蒋尚义昨（22）日表示，台积电由20奈米跨入16奈米制程微缩时间确定
缩短1年，即2015年将提前量产3D电晶体架构的16奈米鳍式场效电晶体（FinFET）制程。
为了满足客户需求，台积电已决定加快研发脚步，“希望10奈米世代就能全面赶上英特尔
”，时间点就落在2017年。
台积电董事长张忠谋在日前法说会中宣布，今年资本支出拉高至95~100亿美元，且16奈米
FinFET制程要提前一年量产。主掌台积电技术研发的蒋尚义昨天则说明，加快16奈米量产
，是因为客户对此有强烈需求。
蒋尚义表示，台积电明年开始进入20奈米单芯片（SoC）制程量产，16奈米FinFET制程理
论上应该是20奈米量产的2年后才会导入，不过，这只是特例而非常态，主要是英特尔已
成为台积电的间接竞争对手。
蒋尚义表示，过去英特尔要生产处理器，所以半导体制程一直是最先进的，但现在英特尔
抢进行动装置市场，台积电很多客户都开始要跟英特尔竞争，也因此，客户要台积电加快
研发速度，台积电当然从善如流，加快制程的微缩时程，才不会让客户失去竞争力。
根据台积电目前规划，2014年开始导入20奈米SoC制程量产，2015年导入16奈米FinFET制
程量产，但后续的10奈米量产时间，仍将在16奈米量产之后2年才会导入，也就是2017年
台积电将进入10奈米世代，且可望首度采用先进的极紫外光（EUV）微影技术。
蒋尚义表示，为了满足客户对先进制程的需求，台积电已集结了开放创新平台（OIP）中
的各供应商，投入庞大资源加速制程推进速度，“希望10奈米世代就能全面赶上英特尔”
。
英特尔的制程推进仍依循摩尔定律，2014年14奈米将进入量产阶段，2016年后则导入10奈
米量产，由此来看，若台积电能在2015年以10奈米量产投片，的确已追赶上英特尔。
台积电及英特尔均参加了微影设备大厂艾司摩尔（ASML）的“客户联合投资专案”，共同
开发EUV微影技术，近期研发上已有所突破。ASML指出，EUV光源功率已提升到55W，每小
时可处理43片晶圆，10奈米世代可望开始导入EUV技术。