半导体flow有分金属后 金属前的制程 金属前可以跳到金属后run
可是金属后一定不能跳到金属前run 因为机台会金属污染
因我在处理一批货时 要镀一层SiON film 可是那个film厚度只有在金属后的站点才有
于是我就把这一批货从金属前跳到金属后run
这批一批货还没镀SiON film时 都还没有半点金属物质加入
镀完SiON film时 我就请公司的自动化部门技巧性的跳回去金属前我要的站点
可是这一点今天被主管发现了 被念了一下 说机台会金属污染
请问我这样的情形 会造成机台金属污染很严重吗?? 请教一下半导体制程工程师
我一直认为 只要元件没有金属物质加入 就都算是金属前的制程
我只是跳站跳去金属后段的制程镀我想要厚度的film 这样就不行了
作者: thlu1 (没教养的牛) 2013-03-25 20:40:00
多多少少会有后段的particle卡在wafer上吧
作者:
ISNAKEI (上班好同事，下班不认识)
2013-03-25 20:41:00后制程不会有meatal带过去吗? 何必分两段?一台run两道不是很省?
作者:
CB400SF (Powered by HONDA)
2013-03-25 21:30:00不污染的话你觉得公司会想多花钱买机台分开Run吗？
作者:
vagary (灰色是难以预料的变化)
2013-03-25 21:58:001. 跟CVD沟通一下, 帮你建recipe
作者:
vagary (灰色是难以预料的变化)
2013-03-25 21:59:002. 你可以送ICP-MS测试metal含量是否如你想像的少
作者:
vagary (灰色是难以预料的变化)
2013-03-25 22:01:00公司制度是死的, 主管更是怕死, 所以别惹事可保平安
作者:
Morphee (千磨万击还坚劲)
2013-03-26 12:43:00...半导体是很保守的行业 建议你不要乱搞 出错谁扛?