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【联合晚报╱记者周品均/台北报导】
2012.10.03 02:54 pm
三星今年在晶圆代工市场布局脚步积极，并且连续两年大幅拉升资本支出规模，研调
机构拓墣示警，三星明年在晶圆代工市场全面进攻策略，将是冲击半导体产业的最大变量
，原因即在于三星将把内存产能大举转进晶圆代工，三星产能大规模提升后，将大幅缩
小与台积电的产能差距，加上包括格罗方德等大厂的来势汹汹，预估台积电明年在28奈米
制程的市占率将从今年的8成滑落至5成。
三星在半导体市场势力已逐步由内存延伸至晶圆代工，为晶圆代工产业投下震撼弹
，拓墣半导体研究中心副理陈兰兰指出，三星明年将全面进攻晶圆代工市场，除了连续两
年大举提高资本支出外，三星大举将内存产能转进晶圆代工将大幅拉升代工产能，今年
三星的代工产能约是台积电的三分之一，预估到明年，双方的产能差距拉近为二分之一。
特别值得关注的是，三星的12吋晶圆厂产能今年已经超越联电(2303)和格罗方德(GF)
，三星将内存产能转进代工的挹注下，加上格罗方德也积极扩充高阶制程产能，台积电
明年来自产能开出导致低价竞争的压力升温，而台积电今年受惠于28奈米需求强劲，营运
不断创新高，随着三星的大举转进与格罗方德积极切入，28奈米供不应求状况预料将在明
年缓解，拓墣认为，台积电今年在28奈米制程市占高达8成的荣景难再现。