紧追台积电 格罗方德推14奈米 结合20奈米LPM
作者： 钜亨网记者尹慧中 台北 | 钜亨网 – 2012年9月21日 下午5:25不让台积电
(2330-TW)(TSM-US)专美于前。GLOBALFOUNDRIES(格罗方德)今(21)日宣布推出专为成长快
速的行动市场所设计的新技术14nm-XM，加速其顶尖的发展蓝图并采优化新世代行动装置
的 FinFET电晶体架构；并结合将量产的20奈米LPM制程。
该公司说明，推出的 14nm-XM技术，将为客户提供 3D“FinFET”电晶体的效能及能源优
势，不仅可降低风险，更能加快上市时间，从而帮助无晶圆厂生态体系维持行动市场的领
导地位的同时，开发出新一代的智慧行动装置。
XM 是“eXtreme Mobility”的缩写，为业界最顶尖的非平面式架构，真正为行动系统单
芯片 (SoC) 设计做了优化，提供从电晶体到系统层级的完整产品解决方案。在 20nm技术
节点，相较于目前的 2D 平面式电晶体，这项技术预计可望提升40% - 60%的电池使用寿
命。
14nm-XM采用模组化的技术架构，完美结合了14nm的FinFET 元件与 GLOBALFOUNDRIES 公
司即将量产的20nm-LPM 制程技术。运用成熟的20nm-LPM技术，让想利用FinFET SoC 优势
的客户，能以最快的速度顺利转移。
值得注意的是，GLOBALFOUNDRIES技术研发工作已展开，硅芯片也已透过位于纽约萨拉托
加郡的晶圆 8 厂进行测试。初期制程设计套件 (PDKs) 现已开始提供，并预计将于2013
年可提供客户产品投片。
GLOBALFOUNDRIES 技术长 Gregg Bartlett 表示，GLOBALFOUNDRIES 投入 FinFET 研发已
超过 10 年，将以此为基础让这项技术得以进入生产阶段。有信心透过这项深厚的基础将
可让我们带领业界进入 FinFET 的量产阶段，就如同在高介电金属闸极 (HKMG) 技术领域的成就。