小弟只是业余的客户..其实应该有更多专业人士..
有人想了解我就以我的理解跟大家解释一下、献丑XD
如大家所知三星是第一家在2D制成推出TLC SSD厂商，
当时还没发展3D，因此容量发展一直依靠在面积缩小，
(Ex. Toshiba NAND 19nm -> A19 -> 15nm、而A19是把Width缩小)
这其实是不利于Floating gate储存电荷的，
这层不管面积大小、电荷存满之后电位都是一样的(材料物理特性、无法突破)
所以缩小面积即意味着用更少的电子分布在有限的电位，
举例来说、旧制程(Ex. 25nm)用100颗电子切8等位(TLC 8阶)，
但新制程(Ex. 14nm)只能存10颗电子却一样切8等位，
制程愈小的NAND对于寿命跟保存期都是变相的伤害，
像Intel 25nm出的MLC P/E可以到10K，后来1x nm做MLC了不起3K，
所以后来就没再继续做下去改往3D垂直发展，
这条路再搞下去做的东西不能用啊XD
P.S. 3D的Floating Gate面积大非常多、所以不用太过担心XD
那三星2D TLC发生什么事？
如上面所讲的，因为有限的电子存量，
随便一颗电子跑掉就可能造成资料判读错误，
Ex. 原本存110，因为电子跑掉被判断成111
到这边也都还没关系，因为SSD有强大的ECC做Backup，
ECC又分为两种，早期MLC时代绝大多数只有设计BCH用电路的方式硬解，
速度够快，但就是纠错能力偏差，1个Page错个几个Bit都还是可以搞定，
但超出他能力他就是完全摆烂，不是0就是1的概念。
TLC把电位切得太细了(MLC只切4阶)，出错的比例大幅提升，
所以BCH无法搞定的Case非常容易就遇到了，
因此三星率先采用了LDPC ECC，这玩意跟BCH差别在于它是算法纠错，
他没办法100%解干净、但他可以让机率提升到99.9999%，
代价就是..你要给他很多时间让他慢慢算..
所以后来就衍生出速度变慢的抱怨..
后来大家也都理解LDPC的处理速度不是常人能忍受的，
所以后来SSD厂商就在从FW设计上来弥补这一块，
电子会跑掉是必然的，只要你的环境不是绝对0K，
就不可能保证电子不会热穿隧，所以厂商开始在NAND上面每个Block标注时间，
在电子流失到到要启用LDPC前赶紧把资料重写(搬到另一个Block)，
这样消费者就不会那么快遇到LDPC的慢速解码，多数都靠BCH搞定。
如上述所解释、这其实也只是延迟发作时间而已，
当NAND P/E快用完时LDPC还是闪不掉的，前提是P/E快用完XD
P.S. 现今的LDPC应该有进步一点了、
但我相信还是没人敢在一开始就让它启动XD
以上单纯是个人见解..有错请小力鞭..