重大突破！美光正式量产首款176层3D NAND快闪存储器
2020-11-10 12:55 经济日报 / 记者张瑞益／台北即时报导
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美光科技今日宣布全球首款176层3D NAND快闪存储器已正式出货，实现前所未有、领先业
界的储存容量和效能。美联社
美光科技今（10）日宣布全球首款176层3D NAND快闪存储器已正式出货，实现前所未有、
领先业界的储存容量和效能。美光新推出的176层技术及先进架构为一重大突破，可大幅
提高资料中心、智慧边缘运算以及手机装置等储存使用案例的应用效能。
美光技术与产品执行副总裁Scott DeBoer指出，美光的176层NAND为业界树立了新标竿。
此层数比最接近我们的竞争对手高出近40%。结合美光的CuA（CMOS-under-array）架构，
该技术使美光得以维持在产业中的成本领先优势。
美光的176层NAND是美光第五代3D NAND以及第二代替换闸（Replacement Gate）架构，为
市场上技术最先进的NAND节点。与上一代的高容量3D NAND相比，美光176层NAND的读取延
迟和写入延迟改善超过35%，可大幅提高应用的效能。美光的176层NAND 设计精巧，采用
比同业最佳竞品还要小30% 的晶粒，是小尺寸解决方案的理想选择。
美光执行副总裁暨业务长Sumit Sadana也表示，美光的176层NAND有助于客户实现突破性
的产品创新。我们正广泛地将这项技术使用在所有可能采用NAND的产品线中，并为使用
NAND的所有领域带来新价值，尤其是 5G、人工智能、云端及智慧边缘运算的成长机会。
美光176层NAND为资料中心SSD的关键设计标准，可以加速资料密集环境和工作负载，例如
人工智能引擎以及大数据分析。对5G智慧型手机而言，强化的服务品质，使其能更快地在
多个应用程式之间进行加载和转换，创造更流畅且快速的手机使用体验，实现真正的多工
作业，并充分利用5G低延迟网络。
美光第五代3D NAND的ONFI（Open NAND Flash Interface）总线，在汽车应用中，此速
度将在引擎启动后立即为车载系统提供接近即时的回应时间，有助于加强使用者体验。
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