中国 NAND Flash 产业最快一年多后冲击韩国相关企业
作者 Atkinson | 发布日期 2018 年 11 月 06 日 19:10 | 分类 国际贸易 , 内存
根据韩国科技媒体 《DDaily》 的报导指出，韩国半导体业界人士透露，相较 DRAM 市场
，来自中国的 NAND Flash 快闪存储器制造商威胁已近在眼前。虽然， DRAM 也必须持续
保持注意力。但是，目前中国的 DRAM 企业要想对韩国的相关企业造成影响还很难，尤其
是在近期美国政府出重手制裁中国的 DRAM 制造商福建晋华之后。相对来说，NAND
Flash 快闪存储器要影响韩国企业，目前可能只剩一年多的时间就看得到。
报导指出，布局中国市场的韩国半导体设备企业相关人士指出，先前设备业界对中国记忆
体市场的期待很大。但是，最近这样的期待感已经消失。对此，该人士解释指出，DRAM
不仅很难讨论其量产时期，最近还因为美国的制裁，因此暂时排除了 DRAM 对韩国企业的
影响。
但是在 NAND Flash 快闪存储器，一方面长江存储已经加快脚步，预计 2019 年第 4 季
将量产 64 层堆叠的 3D NAND Flash 快闪存储器。另一方面，64 层堆叠的 3D NAND
Flash 快闪存储器虽然开始量产，但预计其占比不会很大，因为长江存储主要目标，是在
于快速进入 128 层堆叠 3D NAND Flash 快闪存储器的量产。而且，预计到 2019 年第
3 季，量产的确切时间就将会出现轮廓。
整体看来，随着中国的 DRAM 产业受贸易战的影响，未来发展变得难以预测的情况下，另
一方面紫光集团正在加速 NAND Flash 快闪存储器的开发。日前，紫光集团才宣布投入
240 亿美元，预计在成都建造新的基地，这也意味着紫光集团进入NAND Flash 快闪记忆
体市场已经到达最后的关键时刻。此外，紫光集团目前没有出现诉讼问题，NAND Flash
快闪存储器也和军事敏感问题沾不上边，技术难度也相对较小，发展的阻力不多，因此前
进速度也会加快，使得为些韩国业者的时间差距也逐渐缩小中。
https://finance.technews.tw/2018/11/06/nand-flash-for-china-vs-korea/
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电梯继续向下?