太多资讯,干脆用回文的方式
先说结论
MU2和MU3都是公版设计+公版韧体,没有啥特别的
反正我个人不推就是惹
与其不断纠结倒不如买贵一点,但更优秀的产品,至少不用想来想去
http://bbs.pceva.com.cn/thread-130662-1-1.html
MU2:
PHISON PS3110-S10
第三方封装Toshiba 15nm TLC
MU3:
PHISON PS3111-S11(无快取DRAM)
第三方封装Toshiba 15nm TLC
a.
这里指的快取DRAM是给主控加载FTL的映射表或是当快取存一些资料用的
(一般来说为了加强SSD性能,所以会从NAND Flash将映射表加载到快取DRAM内)
无快取DRAM的SSD顾名思义就是没有额外的快取DRAM,节省成本且多少也可降低一点耗电量
而FTL的映射表就改存放在主控SRAM中
那个"32M SDR"大概就是指主控内建的SDRAM容量
依照推文uchiyama所提供的讯息来看PS3111-S11是用SDRAM和主控封装在一起的形式
但会提到主控SRAM大小的资料非常少,所以这边就参考就好(网络也查不到资料)
没快取DRAM不会怎么样
顶多顶多影响4KB QD1随机读这种需要低延迟的性能表现罢了(用户不会感觉到有差)
因为SRAM容量终究比不上可外加的快取DRAM,所以需要常加载映射表
这篇有提到一点
http://bbs.pceva.com.cn/thread-26362-1-1.html
b.
而SLC Mode(SLC Cache,TurboWrite,PlexNitro,模拟SLC,pSLC...和一堆厂商自称的名子)
则是一种NAND Flash的运作模式,和快取DRAM毫无关联
SLC Mode就是将TLC或是2-Bit MLC NAND只编程Lower Page(模仿SLC NAND)
而Lower Page的编程速度最快,且这样也能提升耐久度
(理论上这SLC Mode区块耐久度会提升到接近SLC NAND)
这样就让SSD在SLC Mode时写入速度快,也能当抵挡写入的盾牌
(然后在闲置时或塞满时fold进MLC/TLC区块)
不过SLC Mode终究是SLC Mode,虽有写入速度高的最大优势
但写超过SLC Mode的区块后就是原生MLC或TLC的写入速度了
而常见的快餐跑分测的当然也会是只到SLC Mode的区块(如只有5GB的AS SSD)
更细的部分请看下面这篇,关键字"Copy back"
http://bbs.pceva.com.cn/thread-135467-1-1.html
而SLC Mode有分三种实现方法:(不多做解释了)
1.全碟SLC Mode(如Toshiba Q Series Pro)
2.动态SLC Mode(如美光Dynamic Write Acceleration)
3.固定容量SLC Mode(如SanDisk Ultra II)
c.
网络指的不同批次会有不同颗粒,这其实只有在建兴睿速T9发生(这颗争议很大)
其它就是LiteOn自家的命名方式很杂乱罢了
以上,有错误还请高人指正