IBM 相变内存研究突破，每单位现在可储存三位元资讯
http://chinese.engadget.com/2016/05/17/ibm-research-phase-change-memory/
作者： ANDY YANG 16 小时前
相变内存（Phase Change Memory，PCM）
是诸多号称能“改变未来”的新内存技术之一，
拥有接近 DRAM 的速度、远超过快闪存储器的使用寿命，
以及不供电也能保存资料的特性。
在某些方面来说，它和忆阻体有点像，都是利用物质的电阻高低值来储存资讯，
只是真正的忆阻体是用电压来控制物质的电阻，而相变内存用的却是温度。
相变内存使用的物质一般是一种或多种硫族化物的玻璃（Chalcogenide Glass），
它们在加热冷却后，可以形成高电阻的晶体，或是低电阻的非晶体状态，
或是两种状态间的任意比例组合。
过去 IBM 已经成功地实作出一个晶体单位储存一个位元（两种状态择一）
的相变化内存样本，这次的突破主要是在于对晶体状态更细致的辨识能力，
让每个晶体单位可以可靠地量测出八种不同的状态，记录三位元的资讯。
三位元是个重要的里程碑，因为如此一来它在成本上就明显对 DRAM 有优势，
甚至逼近了快闪存储器。
只是像所有这类的研究一般，每次都只闻楼梯响，究竟要什么时候才能看到产品面世呢？
IBM Scientists Achieve Storage Memory Breakthrough
https://youtu.be/q3dIw3uAyE8