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三星的 V-NAND 随着 850 Pro 的发布开始正式进入消费级市场
目前的 V-NAND 是第二代，最大 32 层堆叠
NAND 基础还是 40nm 制程的 MLC 快闪存储器
测试得出的 P/E 次数达到了 6000 次，可靠性还不错
在先前三星的 SSD 全球会议上
Techreport 得知三星有计划推出 3bit V-NAND
只不过三星在透露消息方面一贯很小气，就是不肯说具体细节
不过 TR 表示在第二代 V-NAND 发布会上
三星提到了今年底会推出容量密度更高的硬盘
或许指的就是这个 TLC 版的 V- NAND 快闪存储器
具体命名也不确定
不过按照惯例可能会用 850 或者 850 EVO 这样的名字