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Su22 (装配匠)
2026-09-10 21:57:43原文标题：中国内存技术死穴浮现？韩媒曝长鑫存储“HBM超惨烈良率”：4颗坏3颗
原文连结：https://www.storm.mg/article/11163217
发布时间：2026-09-09 19:51
记者署名：张大任
原文内容：
AI导致全球爆发内存极端需求，供不应求导致价格疯涨，而除了三星、SK海力士与美光
等龙头大厂，中国内存制造商长鑫存储也意图趁势崛起。不过根据韩媒最新报导指出，
长鑫存储在高频宽内存（HBM）遇到严重良率问题，仅仅只有25%，“4颗就有3颗是瑕疵
品”，与韩厂仍有约4到5年的技术差距。
科技媒体《Wccftech》引述此报导并表示，HBM远比传统DRAM更为复杂，因此制造难度也
大幅提高，而长鑫近年来能够在全球内存市场崛起，主要原因在于三星、SK海力士、美
光将产能集中在HBM，长鑫则透过持续供应传统DRAM，填补市场需求。
韩媒《朝鲜日报》指出，长鑫存储已开始试产第四代高频宽内存HBM3，但初期良率始终
无法提升，据了解，目前良率停留在约25%，仅达到半导体业界量产标准“黄金良率”（
Golden Yield）80%的3分之1左右。
SK海力士良率逾90% 为何长鑫存储这么低？
报导提到，相比之下，SK海力士自2022年开始量产同类产品，目前良率已超过90%，双方
差距相当明显。业界普遍认为，造成差距的根本原因在于长鑫的TSV（Through Silicon
Via，硅穿孔）技术成熟度不足，而TSV正是将多层DRAM堆叠成HBM的核心制程。
根据熟悉长鑫存储情况的半导体设备业高层人士透露，截至9日，长鑫的8层堆叠（8-Hi）
HBM3在前段制程的良率仅约30%；而通过前段制程的产品，还得完成后段封装制程，又只
有约70%能成为最终合格品。
报导指出，换句话说，如果开始生产100颗HBM3，最终将有接近80颗遭到淘汰。据悉，长
鑫存储正将少量成功制造出的HBM样品供应给中国企业，例如阿里巴巴、寒武纪等公司，
同时持续改善制程与良率。
中国厂最大技术差距难关 半导体业界：并非短时间能追上
报导提到，值得注意的是，长鑫存储的问题并不在于DRAM本身的制程能力，半导体设备业
人士表示，“长鑫采用于HBM的G4（约17奈米级）制程，其生产一般DRAM并没有太大问题
，但HBM规格要求更严格，因此就算使用相同制程，要达到合格标准也困难得多。”
报导表示，TSV是HBM的核心技术，同时难度极高，业界普遍认为，长鑫存储与领先厂商最
大的技术落差就在TSV。半导体业人士表示“TSV制程必须累积多年晶圆加工经验，才能逐
渐稳定，中国企业在DRAM制程方面，确实快速缩小了与国际大厂的差距，但后段制程所需
的经验，并非短时间内就能追上的。”
心得/评论：
中国长鑫的HBM良率惨烈!!!
只有25%左右
四颗就有三颗是瑕疵品
且这技术差距非短时间能够追上
三星海力士等内存大厂仍有相当的护城河,有投资韩股的网友可继续持有