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台积电、ASML联手推12吋High NA EUV光罩！2030年拟导入先进制程、2031年前建试产线
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2026/09/08
14:26
记者署名：
财讯新闻中心
原文内容：
台积电与ASML宣布发起产业合作，共同推动半导体产业转移升级至更大尺寸的极紫外光（
EUV）微影光罩，将High NA EUV自现行6吋光罩转移至12吋光罩，目标于2031年之前建立
12吋光罩试产线（pilot line），并于2033年之前实现微影系统全面就绪，以支援先进制
程量产。
ASML与台积电9月7日于加州蒙特雷举办的BACUS国际光学工程学会（SPIE）先进微影技术
研讨会前宣布发起这项产业合作，共同推动转移升级至12吋光罩，以将高数值孔径极紫外
光（High NA EUV）微影技术的价值发挥到极致。
High NA EUV将自现行的6吋光罩，转移至更大的12吋光罩，预期将进一步提升晶圆厂的生
产力、降低芯片制造成本，并消除需要两张6吋光罩在High NA EUV曝光时进行拼接的限制
，使整个半导体产业受惠。
双方指出，此次转移能让先进芯片制造服务提供者充分利用High NA EUV的优势，更提升
未来世代先进芯片的成本效益。
ASML总裁暨执行长Christophe Fouquet表示：“我们预期，随着元件微缩蓝图的推进，
High NA EUV的采用将逐步提升。初期透过沿用现行的6吋光罩，而后导入12吋光罩以进一
步提升设备生产力，让产业能够满足市场对更小、更快、更节能芯片的需求。我们很高兴
这项合作在初期便获得半导体制造厂商、光罩厂商、以及合作伙伴的大力支持。”
台积电董事长暨总裁魏哲家表示：“台积电深信，唯有产业携手解决复杂问题，才能开创
单一企业无法独力实现的无限可能。借由汇聚产业价值链的专业力量，我们期许透过持续
创新来降低门槛，让先进解决方案得以大规模普及，进而持续传递尖端技术的价值。”
台积电有意自2030年起，在先进制程量产中导入ASML的High NA技术。随着制程技术持续
推进，特别是在AI应用带动电晶体架构日益复杂的趋势下，台积电预期需要使用High NA
EUV曝光的光罩层数将随之增加。
依照此次合作时程，ASML与台积电计画于2031年之前建立12吋光罩试产线，并为2033年12
吋High NA微影系统导入先进制程量产奠定基础。
此外，众多关键生态系统伙伴与供应商均出席此次活动，High NA EUV采用厂商及其他主
要供应商也表达参与意愿，突显产业对此的广泛支持。
心得/评论：
在常规 EUV 设备中，芯片线路能以 1:1 的光罩视场Field Size一次印在硅晶圆上。
但到了 High NA EUV（用于 2nm、A16 以下极先进制程），由于镜头放大倍率改变，光罩
视场被强制缩小了一半Half-Field
旧作法（6 吋光罩）：设计一个大芯片时，必须把电路拆成两半，用两张 6 吋光罩分别
曝光后再拼接（Stitching）起来。这会导致曝光时间翻倍、生产效率（WPH）砍半、光罩
成本爆增，且拼接处容易出现瑕疵。
新方案12 吋光罩：将光罩尺寸加大一倍，让 High NA EUV 能够一次完成全视场Full-
Field曝光，免去拼接光罩的麻烦，直接解决了产能与成本两大痛点。
因此光罩加大至12吋后从光罩基板、检测设备、光阻剂涂布机到机器人搬运系统全部都
要重新设计，将引发一波高阶半导体设备与检测材料的升级潮。
虽然时间尚远台积电对于规划一直在前。CC魏今年股东会说过“下面几年都很好，你如果
预计买股票，请继续”是有所本
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说个笑话 2033印象好像是E-beam写的