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抢 2026 年NAND Flash 市场商机，中国长江存储武汉三期将提早在下半年量产
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发布时间：
2026 01 30 1530
记者署名：
Atkinson
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外媒报导，全球半导体竞争日趋白热化的背景下，中国最大的 NAND Flash 快闪存储器制
造商──长江存储（YMTC）正以惊人的速度推进其产能扩张计画。据最新消息指出，长江
存储位于中国武汉的第三期投资项目正采取“史无前例”的快速建设策略，原定于2027年
才能达成的大规模量产目标，有望提前至2026年下半年正式启动。
长江存储的武汉三厂于2025年 9 月才正式动工，按照常规半导体建厂周期，外界原先预
估该厂要等到2027年才能具备正式量产能力。然而，来自中国当地的半导体业界人士透露
，长江存储近期已开始密集进行 NAND Flash 生产设备的采购订单发送与工厂启动设置作
业，显示其时程表已大幅调整。
消息人士分析指出，从动工到开始量产仅历时约一年，这在业界极为罕见。这意味着长江
存储采取了一种弯道超车的战略，即在工厂主体建筑尚未完全完工的情况下，就同步搬入
部分设备并进行生产线的早期调试与运作。
而这种极速扩产的背后，是长江存储为了在 NAND Flash 市场迎接超级循环周期（Super
Cycle）时强化自身全球地位的精心布局。与市场供应商相对集中的 DRAM 领域不同，
NAND Flash 市场竞争者众多，除了三星电子、SK 海力士、美光（Micron）之外，还包括
日本的铠侠（Kioxia），以及中国的长江存储等。尽管当前受惠于人工智能（AI）热潮，
市场需求压倒性地大于供给，但由于供应商众多，价格竞争的风险始终存在，这迫使长江
存储必须以速度换取市场空间。
报导指出，除了产能扩张速度惊人，长江存储在技术层面的突破同样引发关注。近期有分
析指出，长江存储在 NAND Flash 的生产技术实力上，已几乎追上三星电子与 SK 海力士
等行业大厂。具体数据显示，长江存储目前已掌握 270 层 3D NAND Flash 的生产技术。
虽然与三星电子的 286 层及 SK 海力士的 321 层技术相比仍有微小差距，但这一鸿沟正
在被快速缩小。更为关键的是，受惠于长期的资本投入，以及积极延揽外部专家，长江存
储在生产良率与稳定性方面获得了高度评价，被认为已具备与全球领先企业一较高下的实
力。
值得注意的是，长江存储此次积极的扩产行动，是在美国商务部将其列入实体清单（
Entity List）、严格限制其进口尖端制造设备的背景下进行的。尽管面临外部制裁压力
，长江存储仍于2025 年 9 月毅然启动武汉三期工厂建设，展现了在 NAND Flash领域持
续崛起的态势。
中国当地业者分析，长江存储之所以选择此时发力，是因为洞察到了竞争对手的战略重心
转移。一位业界人士表示，长江存储将2026年视为扩大 NAND Flash市场占有率的黄金时
刻。其由于三星电子与 SK 海力士2026年将主要资源与重心倾斜至利润更高的 DRAM 以
及 AI 专用的高频宽内存（HBM）领域，这给了长江存储在 NAND Flash 市场攻城掠地
的绝佳机会。在技术能力提升、产能扩大，以及中国政府将其视为在地企业重点支援对象
的多重因素加持下，预计在未来 1 至 2 年内，长江存储在全球 NAND 市场的影响力将显
著增强。
目前，长江存储的强势崛起已直接反映在市场数据上。根据市场研究机构 Counterpoint
Research 的统计，以 NAND 出货量为基准，长江存储的全球市占率在2025年第一季首度
突破 10% 大关。随后的成长的趋势不减，至2025年第三季，其市占率已攀升至 13%，较
前一年同期大幅成长了 4 个百分点。
这一统计资料具有里程碑意义，标志着长江存储的市场占比已逼近全球排名第四的美国美
光科技（Micron），显示出中国NAND Flash的势力正从“追随者”向“主要玩家”的角色
转变。因此，长江存储透过武汉三厂的加速量产，不仅意在突破技术与贸易壁垒的封锁，
更试图在全球内存产业格局重组的关键窗口期，确立其不可忽视的市场地位。随着2026
年下半年新产能的释放，全球 NAND Flash 市场的竞争版图恐将迎来新一轮的剧烈变动。
心得/评论：
当商品价格大于加速建造成本 中国没再怕的 钱砸下去就对了
谁又能卷的过中国
昨天看B站影片 这波涨价 不少厂商是有签长约出去 不能退 不能砍价 不过实际才涨40%
比起市价跟每日报价低很多
究竟是真的假的也不清楚 就看谁是最后一棒