※ 引述《eelse (This is Sparta)》之铭言：
: https://www.youtube.com/watch?v=EMbaOsyyfXI
: 禁止讨论华为芯片麒麟9030性能测评
: 极客湾博主称被迫放假
: 笑死，对岸最权威的评论被迫放假
: 9030 看来狂打小粉红的脸
: 推文吹的可不是一点半点
https://www.ctee.com.tw/news/20251213700082-439901
标题：没有EUV也能做！外媒拆解华为新机 中芯“N＋3”芯片与台积、三星差多远？Mate
80 Pro Max搭载最先进本土芯片“麒麟9030”，但仍落后台积、三星5奈米
2025.12.13 03:00 工商时报 苏崇恺
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尽管美国持续实施科技围堵，大陆科技大厂华为及其制造伙伴、大陆晶圆代工龙头中芯国
际，仍在半导体自主技术上取得突破。市调机构TechInsights最新报告指出，经拆解分析
华为新款智慧手机Mate 80 Pro Max后发现，其搭载“麒麟9030芯片”采用中芯国际改进
版的制程技术，这也是大陆迄今最先进的本土芯片制造技术。
综合外媒报导，TechInsights于11日发表报告指出，新款芯片反映出中芯国际已达到超越
前代产品“渐进但实质性”的制程突破。华为与中芯国际都被列入美国“实体清单”，意
味它们无法取得应用材料（Applied Materials）、艾司摩尔（ASML）等大厂的最先进的
半导体制造设备。美国政府以国安风险及与军方关联为由，切断华为与中芯获取先进芯片
技术的管道，这对其生产能力构成极大障碍。
从技术细节看，“麒麟9030芯片”采用中芯国际的“N＋3”制程量产，该节点可视为前一
代7奈米（N＋2）制程的改进版本。但“N＋3”制程与台积电、三星目前的5奈米制程相比
，在效能上仍存在明显差距。
“N＋3”制程最大的挑战在于设备限制。由于无法取得先进的极紫外光（EUV）微影设备
，中芯国际只能利用现有的深紫外光（DUV）设备进行生产。为了达到更精细的线路宽度
，中芯必须采用极为激进的多重曝光技术，将单次图形精度压缩至极限，这大幅增加制造
的复杂度。
报告进一步分析，这种强行推进先进制程的做法虽然技术上可行，但代价高昂。多重图形
化导致制程步骤繁复，缺陷风险显著上升，进而影响良率。分析师认为，“麒麟9030芯片
”目前可能处于“技术展示大于经济效益”的阶段，其生产成本高昂，且部分晶圆可能需
透过降频或降规方式才能出货。
针对外界关注设备陆产化的猜测，分析指出，虽然中芯9月传出，正在测试陆本土研发的D
UV设备，但其性能目前仅能支援28奈米制程。因此，“麒麟9030芯片”所采用的“N＋3”
制程，在微影环节极有可能仍高度依赖库存的ASML DUV机台，短期内难以完全摆脱对外国
设备的依赖。
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我另外看了一些中国的博主跑分的评比
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基本上就是超越8gen2 不及8gen3的水准
8gen2 是在2022年底发布的，现在是2025年底
所以中国在没有EUV的情况下，目前先进制程大约落后2～3年
之后除非能够突破EUV，不然利用DUV多重曝光，中芯的N+3应该已经是极限了