原文标题：携手英特尔 联电12奈米明年通过验证
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发布时间：张瑞益／台北报导
2025年4月28日 周一 上午4:10
※请以原文网页/报纸之发布时间为准
记者署名：张瑞益／台北报导
2025年4月28日 周一 上午4:10
※原文无记载者得留空
原文内容：
联电营运报告书出炉，与英特尔合作开发的12奈米FinFET制程技术平台进展顺利。联电董事
长洪嘉聪指出，预计2026年完成制程开发并通过验证；联电也揭露封装领域进展，晶圆级混
合键合技术、3D IC异质整合等技术已成功开发，未来将全面支援边缘及云端AI应用。
全球半导体产业面临多重挑战，联电2024年依然交出每股税后纯益3.8元的成绩单，有鉴于
陆系成熟制程厂商不断开出产能，为避免走向竞价商模，联电转型特殊制程及差异化应用，
并为AI时代做好准备。联电近日发布2024年年报及至股东营运报告书，揭示多项关键技术突
破与营运成果。
联电强调，与英特尔合作开发的12奈米FinFET制程技术平台，预计2026年完成制程开发并通
过验证，符合该公司设定2027年量产时程。有鉴于美国政府提升美国制造重要性，特别是半
导体领域生产需求，市场解读，这项合作更是联电追求成本效益产能扩张及技术升级的重要
策略，目前进展顺利，对其商机持乐观态度，并肯定联电12奈米技术的竞争力。
在先进封装技术方面，联电利用晶圆级混合键合技术（W2W hybrid bonding）实现尺寸微缩
，已完成产品验证，预计于今年进入量产；在边缘AI方面，与供应链建立W2W 3D IC专案，
进入逻辑芯片与客制化内存的异质整合验证；并成功在硅中介层加入深沟槽电容（Deep T
rench Capacitor, DTC），为2.5D封装芯片提供电源完整性，已完成产品验证并进入试产。
联电去年资本支出约29亿美元，主要用于台南Fab 12A、新加坡Fab 12i与中国Fab 12X的产
能扩充，及各厂产品组合的优化。联电强调，多元制造基地布局，成为该公司在地缘政治复
杂变化中的竞争优势，台湾、新加坡、日本和中国大陆的生产基地为客户提供弹性供应链选
择。
联电去年研发支出156亿元，除了前述12奈米平台外，还成功开发22奈米影像讯号处理器、2
8奈米嵌入式高压低功耗制程平台及氮化镓元件制程。
此外，值得注意的是，氮化镓射频开关元件制程进入量产，氮化镓射频功率放大器（PA）元
件制程及氮化镓650V功率元件制程皆已进入客户产品验证和试产阶段。
心得/评论：
川帝要的美国制造
GG大力建厂美积电
二哥用英皇的设备在美国生产，
二哥提早布局，应该也是对川有交代。
股价抗跌，什么时候往上走
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