原文标题：修改部分设计，三星第六代 10 奈米级 1c DRAM 制程开发完成延后半年
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发布时间：January 21, 2025 by Atkinson
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记者署名：January 21, 2025 by Atkinson
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原文内容：
根据韩国媒体 MoneyToday 的报导，内存大厂三星已将第六代 10 奈米级 1c DRAM 制程
开发完成的日前顺延六个月到 2025 年的 6 月份。最初，三星宣布第六代 10 奈米级 1c D
RAM 制程已经于 2024 年年底完成开发，并计划开始量产。然而，后续的生产良率并没有增
加，导致开发时间再延迟半年左右。而一旦开发无法按计画进行，原定于 2025 年下半年量
产的第六代高频宽内存（HBM4）也可能会受挫。
报导引用市场人士的说法表示，三星的第六代 10 奈米级 1c DRAM 制程开发遇到困难。尽
管市场在 2024 年底左右，获得了三星送交的第一个测试芯片，但因为无法达到预期的良率
，因此将预定开发完成的时间延后六个月。而在这六个月中，三星预计将良率提升到约 70%
。根据过往业界的经验，每一代制程的开发周期通常落在 18 个月左右。但是，三星于 202
2 年 12 月开发出第五代 10 奈米级 1b DRAM 制程，并于 2023 年 5 月宣布量产之后，就
一直没有 1c DRAM 状况的消息。
报导表示，如果第六代 10 奈米级 1c DRAM 制程从开发完成到量产的时间约为正常的 6 个
月时间，则三星实际量产的时间预计将在 2025 年底。而这样的时程，几乎也影响了三星当
前正面临生死关头的 HBM 产品的发展。以 1c DRAM 制程为例，其核心产品是以 DDR5 记忆
体为主，而 HBM 则是其衍生产品，开发时间会落后核心产品的时间。这代表着一旦核心产
品延后到 2025 年底量产，其 HBM 的量产可能会在 2025 年之后进行。这相较于三星先前
宣布将于 2025 年下半年将 1c DRAM 制程用于 HBM4、并量产的情况有所改变，也影响了三
星在 HBM 市场上的竞争力。
报导强调，三星计画在 2025 年上半年全力投入六代 10 奈米级 1c DRAM 制程的开发，以
尽快提高良率。由于竞争对手 SK 海力士则选择了稳定的作业方式，将前一代的第五代 10
奈米级 1b DRAM 制程应用于 HBM4，因此，三星的动作齐展现了产品将飞跃进步的决心，以
进一步提高性能和能源效率。但要达成这样的目标，最重要的就是能尽快达成量产目标。南
韩半导体产业人士指出，我们了解到三星正在修改 1c DRAM 制程技术的部分设计，而对这
目标三星也在尽可能的加快执行中。
(首图来源：官网)
心得/评论：
三星是弯道翻车翻上瘾了？
“三星计画在 2025 年上半年全力投入六代 10 奈米级 1c DRAM 制程的开发，以尽快提高
良率。”
“由于竞争对手 SK 海力士则选择了稳定的作业方式，将前一代的第五代 10 奈米级 1b DR
AM 制程应用于 HBM4”
人家用1b DRAM跟台积电合作稳稳做HBM4
三星你就硬要用下一代1c做 太喜欢弯道超车了吧？
好吧！三星你的HBM3E继续发烫给博通用好了
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