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SRAM密度较高下 美科技网站：台积电N2远胜英特尔18A
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https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/4884370
发布时间：
2024/12/05 06:20
记者署名：
编译魏国金／台北报导
原文内容：
美国科技网站Tom's Hardware报导，台积电的2奈米（N2）制程在静态随机存取内存（
SRAM）的密度上优于英特尔的1.8奈米（18A）制程。根据2025国际固态电路研讨会（
2025 ISSCC）先进计画，英特尔的18A SRAM密度大幅低于台积电的N2，较接近台积电的3
奈米（N3），不过，相较台积电的N2，英特尔的18A可能仍有其他重要优势。
报导说，英特尔18A制程的特点是具有 0.021 μm^2 的高密度 SRAM 位单元尺寸（因此达
成约 31.8 Mb/mm^2 的 SRAM 密度），这与台积电N3E与N5提供的一致。相较之下，台积
电N2制程技术将 HD SRAM 位单元尺寸缩小至 0.0175 μm^2 左右，使 SRAM 密度达到
38 Mb/mm^2。
18A与N2都依赖环绕式闸极（GAA）电晶体，但有别于英特尔，台积电成功缩小其高密度
SRAM位单元尺寸。不过应该注意的是，除了SRAM的位单元大小外，SRAM的一个关键特性是
其功耗，目前并不真正知道在此指标上，18A与N2如何比较。
SRAM密度是最难以用现代制程技术微缩的东西之一，因为这涉及复杂的设计、对稳定性与
可靠性的操作要求，以及在较小节点上增加可变性。换言之，一些现代技术相较于其他制
程节点，有较大的SRAM单元尺寸，并不足为奇。
心得/评论：
intel一直声称18A在2025量产
并且目前进度一切顺利
预期新CEO上台会有一波拉升
希望是台湾人，如果是印度....
当然除了制造方面，设计似乎也有问题
这都是要考虑进去的

CEO都烙跑了 想要弯道超车的18A会成真吗

拜托 这智商不要来玩股票