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三星、台积电将共同研发HBM4 韩媒：史上头一遭
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发布时间：
2024/09/06 12:28
记者署名：
记者 郭妍希 报导
原文内容：
三星电子(Samsung Electronics Co.)打算跟晶圆代工竞争对手台积电(2330)合作，一同
开发次世代AI用高频宽内存“HBM4”。
韩国经济日报、BusinessKorea 5日报导，台积电生态与联盟管理负责人Dan
Kochpatcharin 5日在《SEMICON Taiwan 2024》表示，两家企业正在共同研发一款无缓冲
(bufferless)的HBM4芯片。他说，内存制程愈来愈复杂，跟伙伴的合作从未像现在如此
重要。
高频宽内存(HBM)是一种先进DRAM，处理速度比传统内存更快，对AI发展至关重要。
HBM4为第六代HBM，三星、SK海力士(SK Hynix Inc.)、美光(Micron Technology Inc.)等
内存大厂最快明(2025)年就可量产，供应辉达(Nvidia Corp.)等AI芯片设计商。
分析人士表示，若三星、台积电决定共同研发无缓冲HBM4，将是两家企业在AI芯片领域首
次结盟。
消息指出，三星、台积电会先从第六代HBM4开始合作。三星计画明年下半量产HBM4，并打
算借由双方合作，为辉达、Google等客户供应客制化芯片与服务。
消息显示，三星打算提供一站式服务，从DRAM生产到逻辑晶粒(logic die)制造、先进封
装服务一气呵成。不过，三星也考虑使用台积电的技术，因为有客户偏好台积电生产的逻
辑晶粒。
三星正在努力追赶HBM领导大厂SK海力士。根据集邦科技(TrendForce)统计，SK海力士的
HBM市占多达53%，三星则有35%。SK海力士早在4月就宣布要跟台积电合作生产HBM4芯片，
预定2026年量产。
三星总裁暨内存事业部负责人Jung-bae Lee 4日在Semicon Taiwan 2024发表主题演说
时曾表示，为了将AI芯片效能最大化，客制HBM是最佳选择。他说，三星正在跟其他晶圆
代工商合作，提供超过20个客制化解决方案。
Lee并在论坛的执行长峰会指出，三星的系统LSI与内存部门虽会负责芯片设计与制造，
但该公司也会运用其他晶圆代工商的产能，将HBM效能拉高到极致。他指出，光靠传统记
忆体制程，对HBM效能的提升程度有限。
心得/评论：
三星也要台积电了?
SK+台积电 HBM4
三星+台积电 HBM4
美光要不要也来一下?