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AI带动！研调预估2025年内存产值将创新高
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发布时间：
2024/07/22 14:32
记者署名：
记者洪友芳／新竹报导
原文内容：
〔记者洪友芳／新竹报导〕研调机构集邦科技（TrendForce）针对内存产业发表最新报
告指出，受惠于位元需求成长、供需结构改善拉升价格，加上HBM（高频宽内存）等高
附加价值产品崛起，预估DRAM及NAND Flash产业今年营收年增幅度将分别增加75%和77%，
2025年产业营收将持续维持成长，DRAM年增约51%、NAND Flash年增29%，将创历史新高，
并且推动资本支出回温，带动上游原料需求，唯内存买方成本压力将随之上升。
TrendForce估计，预估DRAM均价在2024年增53%、2025年增加35%，此条件下，将进一步推
升2024年DRAM营收达907亿美元、年增75%，2025年达1365亿美元、年增51%。
TrendForce表示，内存产业营收创纪录，原厂将有足够现金流加速投资。预估2025年
DRAM、NAND Flash产业资本支出分别年增25%、10%，且有机会上修。此外，内存生产规
模提升将带动对硅晶圆、化学品等上游原料需求，但相反的，内存价格上涨将增加电子
产品成本，ODM/OEM业者较难完全将成本反映在零售价上，利润势必将被压缩，终端销量
也可能受到压抑，导致需求下滑。
TrendForce表示，驱动DRAM营收增长有四因素，包括HBM崛起、一般型DRAM产品世代演进
、原厂资本支出限缩供给和Server需求复苏。相较一般型DRAM，HBM除拉升位元需求，也
拉高产业平均价格。预估2024年HBM将贡献DRAM位元出货量5%、营收20%。
此外，DDR5和LPDDR5/5X等高附加价值产品的渗透同样有助提高平均价格。TrendForce估
计，DDR5将分别贡献2024、2025年服务器DRAM位元出货量40%、60-65%。LPDDR5/5X会贡献
2024、2025年mobile DRAM位元出货量50%和60%。
TrendForce估计，2024年NAND Flash营收将达662亿美元、年增77%；2025年在大容量QLC
Enterprise SSD崛起、smartphone采用QLC UFS、原厂资本支出限缩供给和server需求复
苏等4项因素带动下，NAND Flash营收将达786亿美元、年增29%。
此外，北美云端业者CSPs已开始在inference AI server大量采用QLC enterprise SSD，
尤其是大容量规格。TrendForce预估，QLC将贡献2024年NAND Flash位元出货量20%，此比
重2025年将再提升。在智慧型手机（smartphone）应用，QLC预计逐步渗透UFS市场，部分
中国smartphone业者预计于2024年第四季起采用QLC UFS方案，Apple则预计2026年开始导
入至iPhone。
心得/评论：
内存这一波还没有涨到
内存将是AI下一波受惠的产业
根据研调机构
明年及后年内存单价将成长53%及35%
明年及后年内存营收将成长75%及77%