原文标题：弯道翻车？传三星3奈米试产良率曾低至0％
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发布时间：2024/07/10 12:54
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记者署名：编译魏国金／台北报导
※原文无记载者得留空
原文内容：
三星电子最新的Exynos 2500处理器良率一直是外界关注焦点。韩媒DealSite披露，目前三
星3奈米生产流程存在问题，在试产Exynos 2500处理器时，最后统计出的良率竟然为0%。中
国虎嗅网近日文章指出，该爆料若确实，“三星可能创造了半导体史上最大的玩笑”。
虎嗅网标题为“砸下8,400亿元（人民币，3.76兆台币）后，三星先被自己人背刺”的文章
说，知名分析师郭明錤6月19日在个人社群媒体上称，高通将成为三星Galaxy S25系列机型
的独家SoC供应商，原因是三星自家的Exynos 2500芯片良率低于预期而无法出货。
该消息似乎佐证了韩媒DealSite先前发布的一份看似“离谱”的爆料，即目前三星3奈米生
产流程存在问题，在试生产Exynos 2500处理器时，最后统计出的良率为0%。
该文指出，三星电子几乎是以“透支集团未来”的方式投资3奈米制程。在2023年财报中，
三星电子就曾表示，在全年资本支出的53.1兆韩元中（1.24兆台币），有48.4兆韩元（1.13
兆台币）用于半导体。
另根据Tom's Guide先前推测，在整个3奈米计画中，三星共投资1,160亿美元（3.78兆台币
），这还不包括后续用于亚利桑那州、德州两座3奈米厂的建设费用。
如此重金押注3奈米制程，换来的却是自家旗舰机型的芯片，让竞争对手独供，势必对三星
的半导体业务带来沉重打击。
文章分析，三星的问题在于其极力寻求以闸极全环绕（GAA）技术超越台积电。实际上，在3
奈米制程的开发上，三星的动作要先于台积电。
早在2017年，三星就宣布着手3奈米制程的研发工作。2021年中，三星宣布3奈米制程成功流
片，2022年6月，三星又宣布3奈米制程进入量产阶段。从流片到量产，三星较台积电维持约
半年的领先优势。
问题在于，三星在3奈米制程上改用闸极全环绕（GAA）架构的进度快得有些不正常。芯片架
构的升级是非常漫长的过程，不仅对于芯片代工厂商有很高的要求，也是整个芯片产业链的
挑战。
一位业界从业人员表示，FinFET架构在1999年发明出来后，直到2011年前后，业界才出现与
之配套的成熟EDA（电子设计自动化）软件。三星是目前唯一研发GAA架构的厂商，这家公司
恐怕很难短时间内与EDA厂商一同摸索出适用GAA架构的解决方案。
文章说，三星想透过更先进的GAA架构实现弯道超车，但如今却不得不面对产品良率为0的窘
境。
对于围绕3奈米制程的布局，从结果来看，重金押注GAA架构的三星赌输了。沿用FinFET架构
的台积电虽被外界批评保守，但来自辉达、苹果、英特尔的订单让其3奈米制程工厂的产能
利用率一度超过100%，但三星目前却未得到任何大厂的青睐。
心得/评论：
三星昨天还在吹拿到2奈米订单
https://i.imgur.com/zOCYhvf.png
应该先把猎户座2500好好做出来再说吧！
如果再过几个月三星手机只能用发哥跟高通 ，真的让发哥赚到了！
现在看来台积当初没急着要用GAA真的是对了！
话说自由引用什么“虎嗅网”也是蛮妙的
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