原文标题：韩媒：三星第二代 3 奈米制程良率只有 20%
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发布时间：May 21, 2024
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记者署名：MoneyDJ
※原文无记载者得留空
原文内容：
韩媒传出，三星电子（Samsung Electronics Co.）的第二代 3 奈米制程良率仍欠佳，而这
项制程今年稍晚会用来生产即将内建于 Galaxy S25 旗舰智慧型手机的 Exynos 2500 行动
处理器。
NotebookCheck网站20日报导，美国电子设计自动化（EDA）软件商新思科技（Synopsys）5
月2日发布新闻稿宣布，三星采用最新3奈米GAA制程的旗舰行动系统单芯片（SoC），已成功
完成设计定案（tape out），引起市场瞩目。人们普遍相信，这款SoC应是次世代Exynos 25
00。
不过，根据韩媒DealSite及社群平台X用户@Revegnus1的说法，三星的第二代3奈米制程良率
仅有20%。换言之，硅晶圆上每10颗芯片就有8颗有缺陷。
目前不清楚这篇报导指的是三星的3GAP制程、抑或是原始的3GAA。相较之下，台积电的N3B
制程良率则为接近55%，而次世代N3E制程的良率仍是未知。
@Revegnus1甫于5月14日爆料指出，Google从2025年释出的Pixel 10智慧型手机开始，Tenso
r应用处理器将改采台积电的3奈米制程技术。Google最近扩大了台湾的研发中心，并积极聘
用当地半导体工程师，准备与台积电合作。
根据Tech Edt 5月20日报导，过去几年来，三星晶圆代工事业Samsung Foundry一直是Googl
e Tensor芯片的主要代工商。上述传闻意味着，三星或许失去了这项合约。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：三星）
心得/评论：
疑？三星不是2022年底就说他三奈米成功？
都多久了？良率还在20%
纵使N3B 台积良率55%
但N3E少更多光罩 没卡那么紧
间距也没那么激进
N3E良率一定高不少。看来三星弯道又翻车
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