原文标题：抢食高频宽内存芯片！韩媒：HBM4争霸战
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发布时间：2024/05/20 06:51
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记者署名：编译魏国金／台北报导
※原文无记载者得留空
原文内容：
韩国中央日报19日报导，在三星与SK海力士为第5代高频宽内存（HBM3E）的市场，全面开
战之际，争夺号称“改变游戏规则”的下一代HBM4领导地位的战争也开始了，而台积电在这
场争霸赛中居于上风。
标题为“‘我们也将吃下内存’台积电向三星宣战：HBM4争霸战”的文章指出，从HBM4开
始，逻辑半导体与内存之间的界线开始瓦解，IC设计公司、半导体代工厂以及内存公司
之间开始争夺领导地位，而台积电是率先显露雄心的巨头。
台积电本月14日在阿姆斯特丹举行的欧洲技术研讨会上，首度揭露第6代HBM4细节。台积电
宣布正采用12奈米与5奈米制程，制造用于HBM4的基础芯片，5奈米制程可被用来达成更高效
能，该战略即是依据客户要求的效能，客制化HBM4。
HBM的制造是将DRAM芯片堆叠在作为基座的基础（逻辑）芯片之上，然后将之垂直连结而成
。一直到HBM3E，HBM的所有部份，包括基础芯片都是由三星、SK海力士等内存芯片厂生产
，然而从逻辑芯片与内存合并为一的HBM4开始，基础芯片是由半导体代工厂制造，这是因
为如果基础芯片采用先进制程，可以包含更多运算功能。
在该研讨会上，一名台积电高层首度承认他与SK海力士、三星与美光讨论HBM4的发展，并表
示，我们正与主要伙伴就HBM4的整合制程进行合作。台积电也补充，正升级其CoWoS先进封
装技术。
该文说，目前将逻辑芯片，比如图形处理器（GPU）与HBM并排封装的技术，将在几年内发展
成将HBM放在GPU之上，并立体垂直堆叠的高科技技术。对此，台积电近期宣布一个新的尖端
封装技术进程计画，并开始巩固其压倒性的优势。据悉，辉达与超微已抢下台积电明年的先
进封装产线。
文章说，台积电是第一家突破HBM领导之墙的代工厂，直到现在，这是内存厂制霸的领域
。在HBM4的发展上，台积电已宣布与辉达、SK海力士合作，组成“3方同盟”，据此，SK将
取得台积电生产的基础芯片，并将DRAM堆叠其上，SK也因此宣布将提早1年，于2025推出HBM
4。
随着台积电锁定HBM市场，三星也逐渐升高戒备。在HBM3E的订单战中，三星尚未取得辉达的
验证。韩国一名半导体业者说，在HBM市场上，三星不仅与SK竞争内存龙头地位，现在也
与台积电竞争代工霸主地位，除非它放弃当中一个，否则必须在两个领域都取得压倒性优势
，才有可能在竞争中胜出。
心得/评论：
韩媒就是爱挑拨，什么叫做：‘我们也将吃下内存’台积电向三星宣战：HBM4争霸战
海力士不是韩国的？？是台积电的吗？
不过三星目前看起来不妙。但HBM4还久。
三星先搞定HBM3E好吗？
不然三星专心做家电、笔电、手机 就好。
内存让海力士跟台积电来～
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