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传中国“又”突破美国封锁了 中芯今年将量产5奈米芯片 美商务部长：中国技术落后美
国几年
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发布时间：
2024年4月22日 周一 下午6:24
记者署名：
邱立玲
原文内容：
邱立玲
2024年4月22日 周一 下午6:24
华为和中芯国际可以使用现有的DUV设备来生产5奈米制程芯片，但成本会非常高，市场
传言华为又突破美国封锁了。（图片来源／华为官网）
今年初开始有几家媒体报导透露，中国最大的芯片制造商中芯国际（SMIC）将不惜一切
代价，在今年稍后为华为技术量产5奈米芯片，但是产量少，而且生产成本极为高昂。
这消息让人质疑美国出口管制的效力，没有对中国芯片产业带来致命打击，反而让中芯
国际更具创新能力？
美商务部长：中国芯片制造技术仍落后美国
即使各界质疑声浪来袭，但美国商务部长雷蒙多周日接受美国哥伦比亚广播公司（CBS）
新闻节目《60分钟》访问时淡化华为芯片技术突破封锁的消息，而是强调中国制造芯片
技术仍比美国落后数年，这种落差表明拜登政府对中国实施出口管制的措施取得成功。
《彭博》报导指出，尽管传言中国将制造的5奈米芯片，比目前最先进制造商生产的尖端
3奈米芯片落后一代，但中国继续推进10奈米以下芯片制造能力，这种事实的意义重大，
特别是考虑美国设定的门槛是2022年的出口管制是16到14奈米。
华为于2023年8月推出新款5G智慧手机Mate 60 Pro，当时这款智慧型手机搭载中国“晶
圆代工一哥”中芯国际(SMIC) 在国内制造的7奈米芯片，美国随后很快声称没有证据表
明中芯国际可以大规模生产7奈米芯片。
一些分析师同样怀疑中芯国际的7奈米制程在商业上是否可行，因为它没有使用采用极紫
外 (EUV) 光刻技术的最新型芯片制造设备，而中国受到出口管制的束缚，无法获得这种
技术。中国芯片制造商只能使用成本更高、效率更低的制造工艺，利用旧的深紫外线（
DUV）光刻设备重复曝光，造出7奈米芯片。
DUV造10奈米以下芯片的成本高出数倍
然而，当政治风险很高时，金钱成本就不会是一个重大障碍。 尽管中芯国际用DUV制造
10奈米以下芯片的成本比EUV光刻机造芯片成本高出数倍，但它们证明中国有能力反抗美
国的出口管制。
更重要的是，除了与人工智能（AI）相关的应用之外，大多数现有军事装备不依赖10奈
米以下芯片，而是使用中国已经具备能力的成熟芯片技术。
早在今年2月初，英国《金融时报》和亚洲时报就相继报导，中芯国际今年稍后将向华为
出售成本高、效率低的5奈米芯片。
评论人士表示，华为和中芯国际决心推进这个耗资巨大的项目，因为北京希望向世界展
示，尽管美国对先进芯片与设备实施出口禁令，但中国企业仍可以突破封锁，他们认为
，这更像花大钱的政治表演项目，而不是商业可行的项目。
中芯5奈米芯片的良率在30％－40％
芯片工程师解释，使用浸没式深紫外线（DUV）光刻技术来生产5奈米芯片在技术上是可
行的，但成本比使用极紫外线（EUV）光刻技术制造的芯片高出6－7倍。他们估计，中芯
国际或许能够生产7奈米和5奈米芯片，良率分别为50％和30％－40％。
英国《金融时报》的报导指出，中芯国际将利用现有的美国和荷兰芯片设备量产5奈米麒
麟片上系统 (SoC)；中芯国际的5奈米和7奈米芯片售价比台积电类似芯片售价贵了40％
－50％。
《金融时报》引述一些专家的话指出，中芯国际7奈米芯片的良率还不到台积电同类产品
的三分之一。
前台积电研发副总、清华大学半导体学院的院长林本坚表示，华为和中芯国际可以使用
现有的DUV设备来生产5奈米，但成本会非常高。
他说，用深紫外光刻（DUV）技术生产5奈米芯片需要4次图案化技术，其中包括多次曝光
和蚀刻制程。他说，多重图案化非常耗时，如果曝光不准确，会导致产量低下。
中芯国际利用DUV准备5奈米制程
他的观点是，美国应该专注于保持芯片设计领先地位，而不是试图限制中国的进步，他
指出，北京采取“举全国之力”的策略来发展芯片制造产业。
去年8月，华为出人意料在Mate60 Pro手机推出麒麟9000s芯片，技术专家后来发现，这
款7奈米芯片是中芯国际采用N+2制程、DUV光刻技术制造的。
2023年12月，华为推出了采用麒麟9006C芯片的青云L540笔记型电脑，评论人士一度猜测
华为实现了新的技术突破。
加拿大技术解决方案供应商TechInsights 1月初表示，9006C芯片来自2020年9月中旬台
积电被美国禁止为华为生产芯片之前交付的库存。
去年12月，不愿透露姓名的产业消息人士告诉韩国新闻网站《The Elec》，中芯国际正
在利用DUV准备5奈米制程。他透露，DUV的零件供应无法跟上中国的需求，光罩（
photomask）的用量将进一步增加。
心得/评论：
DUV硬干上去5奈米～中国会不会把DUV制程越玩越溜啊！
米国限制EUV还是让中国玩到5奈米～
别管财报赚不赚钱了～ 指标问题而已