原文标题：台积电次世代内存大突破 抢食AI、高效能运算商机
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发布时间：2024-01-18 05:20
记者署名： 记者 苏嘉维 李珣瑛／台北、新竹报导
原文内容：
台积电（2330）今天法说会登场前夕，昨（17）日抢先报喜，在次世代MRAM内存相关技
术传捷报，携手工研院开发出自旋轨道转矩磁性内存（SOT-MRAM）阵列芯片，搭配创新
的运算架构，功耗仅其他类似技术的1%，称霸业界，为台积电抢攻AI、高效能运算（HPC
）等当红商机增添动能。
业界指出，AI、5G时代来临，包括自驾车、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应用，都需要
更快、更稳、功耗更低的新世代内存，MRAM采用硬盘中常见的精致磁性材料，能满足新
世代内存需求，吸引三星、英特尔、台积电等大厂投入研发。
过去MRAM主要应用在车用或基地台等，由于MRAM架构特性，使得资料保存、写入耐久性及
写入速度等三大特点并无法兼得，数年前出现自旋转移扭矩（STT-MRAM）更新架构，解决
上述三大特点无法兼得的问题，并进入商用化。
台积电已经成功开发出22奈米、16／12奈米制程等相关MRAM产品线，并手握内存、车用
等市场订单，抢占MRAM商机。台积电乘胜追击，与工研院携手开发出SOT-MRAM阵列芯片，
搭配创新的运算架构。
工研院昨天宣布，此次与台积电合作的开发出SOT-MRAM阵列芯片，搭配创新的运算架构，
适用于内存内运算，且功耗仅为STT-MRAM的1%，相关研发成果领先国际，并在全球微电
子元件领域顶尖会议“国际电子元件会议（IEDM）”共同发表论文，展现次世代内存技
术的研发能量，维持台湾半导体在全球产业不可或缺的地位。
工研院电子与光电系统所所长张世杰指出，工研院与台积电继去年在全球半导体领域顶尖
的“超大型积体技术及电路国际会议”（Symposium on VLSI Technology and Circuits
）共同发表论文之后，今年更开发出兼具低功耗、10奈秒高速工作等优点的SOT-MRAM单元
。
MRAM本身就需要透过精致磁性材料打造，因此需要整合半导体及磁性元件等技术才能生产
，过去主要应用在嵌入式内存，例如搭配CPU使用作为其快取资料用途。这次工研院、
台积电合作研发成果，已经结合电路设计完成内存内运算技术，进一步提升运算效能，
跳脱MRAM过往以内存为主的应用情境。
随AI、高效能运算等需求崛起，台积有机会透过SOT-MRAM加上先进封装，整合出更高运算
速度的芯片，代表未来不论高效能运算、AI及车用芯片等相关市场，都有机会采用
SOT-MRAM，台积将大咬商机。
阅读祕书／MRAM
MRAM中文名为“磁阻式随机存取内存”，具备快速及非挥发性，存取速度快，断电也可
保存资料，关键在于采用了硬盘中常见的精致磁性材料，并可整并在物联网装置中芯片设
计的后端互连层。
虽然MRAM生产成本较DRAM昂贵，随着高速运算需求兴起，MRAM有机会与DRAM搭配使用，成
为内存市场新商机。（苏嘉维）
心得/评论：
没想到SOT-MRAM这东西今年就能量产了
其他DRAM内存大厂传产化 继续变成低毛利产业
大台积不跟你们玩先走一步了