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内存回暖 Q4合约价看涨
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发布时间：
04:10 2023-10-23
记者署名：
工商时报 李娟萍
原文内容：
三星、SK海力士及美光三大原厂扩大减产，NAND Flash及DRAM现货价近期呈价格反弹迹象
，其中，NAND Flash回温速度优于预期，第四季价差持续收敛，预估本季产品平均单价涨
幅为5～10％，有机会出现货价与合约价黄金交叉。
内存族群受惠产业市况反转，今年以来股价走势强劲，十铨股价今年以来涨幅翻倍，威
刚股价涨幅逾八成，群联股价亦有逾五成的涨幅。
业界人士分析，由于三大原厂的库存离正常化仍有一段距离，拥有最大市占率的龙头厂三
星，决定进一步削减产能利用率至50％，欲使库存尽早正常化，现阶段加大减产，预期效
果将于2024年上半年反映。
内存市场约有90％为合约价市场，而现货价为可视为涨跌趋势的先行指标，以NAND
Flash Wafer而言，1Tb TLC现货价自低点反弹27％，主流的512Mb TLC现货价也有25.7％
增幅，而256Mb TLC现货价回升16％。
由市场供需来看，供不应求将加速消耗先前库存，涨价趋势将持续到2024年，业界人士预
估，NAND Flash第四季价差持续收敛，并有机会出现货价与合约价黄金交叉，预估第四季
产品平均单价涨幅为5～10％。
就DRAM来看，DDR5、DDR4、DDR3现货价齐涨，第四季合约价也看涨，三星已由第一季的减
产20％，第三季减产25％，到近期宣布第四季将减产拉高至30％，策略明显奏效。
且得益于报价拉抬，自7月以来的现货价各品项，小幅反弹5～8％，DRAM现货价已于9月初
落底，并呈现反弹趋势，其中，以最先反弹的DDR3，涨幅最大。
大厂的DDR3产能较少，率先缩减后，并将产能转往更高阶产品，因此，DDR3开始市场供不
应求，也显见下游端库存已逐步去化，产生需求。
而目前市场主流的库存DDR4 8G，由微幅下滑，转为开始上扬，DRAM谷底周期接近尾声，
并且近期已有原厂宣布调升合约价，第四季整体DRAM产品平均单价，将有0～5％涨幅。
心得/评论：
三大厂库存去化速度离正常库存水位仍有一段距离 , 三星持续减产,导致目前内存Q4
产品单价预估涨幅5~10% , 台内存厂的高库存直接变成利多XD
不过内存新闻几乎每周一篇利多新闻 , 搭配近期内存股概念股价强势
投资人应仔细判断新闻表达的意义。