原文标题：三星霸气宣示芯片计画：3年内量产2奈米 5年内超越台积电
新闻媒体：中时
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发布时间：2023/10/20
记者署名：卢伯华
原文内容：韩国三星电子在当地时间19日于德国慕尼黑举办“三星代工论坛2023”，霸气十足地公布了芯片制造的先进工艺路线图和代工战略，扬言将在3年内量产2奈米先进制程芯片，同时在5年超越台积电。
据《快科技》报导，在这次论坛上，三星电子也展示了从最先进的2奈米工艺到8英寸传统工艺一系列汽车行业定制解决方案。
三星代工事业部总裁崔时荣（Siyoung Choi）表示：“目前我们正在加大投入准备工作，为客户提供功率半导体、微电脑、先进的自动驾驶人工智能芯片等多种解决方案。”
三星强调，该公司将在2026年完成车用2nm芯片的量产；同时还透露了其开发业界首款5nm eMRAM下一代储存半导体计画。
报导说，自2019年成为业内首家量产基于28nm工艺eMRAM的公司以来，三星计画2024年量产14nm车用eMRAM，然后在2026年和2027年量产8nm和5nm车用eMRAM。
三星官方指出，8nm eMRAM与14nm相比，预计集成度将提高30%，速度提高33%。此外三星还计画到2025年将目前的130mm车用BCD工艺提升至90nm，与130nm相比，90nm的BCD工艺将使芯片面积减少20%。
根据此前DigiTimes的报导，三星半导体和设备解决方案（DS）部门负责人庆桂显（Kye Hyun Kyung）博士曾公开表示，要在未来5年内超越台积电和其它行业巨头。
据了解，台积电总裁魏哲家在近日法人说明会上披露，台积电可望在2025年量产2nm工艺芯片。
心得/评论：三星猴放话未来五年内超过台积电和和其他行业巨头，五年后来看是不是又一次弯道翻车
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