原文标题：〈华邦电展望〉20奈米DRAM良率进展优预期 可望提前半年量产
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发布时间：2023/05/01 13:10
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记者署名：钜亨网记者林薏茹
※原文无记载者得留空
原文内容：
内存厂华邦电 (2344-TW)DRAM 新制程传捷报，20 奈米良率远优于预期，产能拉升速度
也大幅超前预期半年，最快 7 月可望进入量产，华邦电为因应 20 奈米量产脚步接近，
也将提高原规划产能规模，高雄新厂年底前将从 1.4 万片扩增至 1.5 万片。
华邦电高雄路竹新厂去年底加入生产，目前以 25S 奈米制程投片，月产能约 1 万片，预
计下半年就会推进至 20 奈米；相较前一代 25S 制程，20 奈米可增加 40% 晶粒产出，
可有效降低成本，也将导入生产 DDR4 产品。
华邦电原先预计，20 奈米今年底才可望量产，不过，在大数据应用协助下，大幅推进新
制程开发进度，目前 20 奈米良率已远优于原先预期，客户小量导入中，将提前近半年进
入量产。
为因应 20 奈米量产脚步，华邦电也正催促供应商交货设备机台，将装机时间由年底提前
至第三季，并将年底产能目标由 1.4 万片拉升至 1.5 万片，届时大部分产能将转至 20
奈米制程。
华邦电去年资本支出 408 亿元，今年预估 121 亿元，大部分用于高雄厂建厂及提升制程
品质、新制程研发等支出。除 20 奈米 DRAM 进度超前外，45 奈米 NOR Flash 开发进度
也相当顺利，年中将试产、下半年量产，明年营收贡献可望大幅成长。
心得/评论：
华邦电提早预期半年，最快今年下半年就能量产20奈米DRAM新制程，年底产能目标由1.4万
片拉升至1.5万片，可预期今年营收增加、明年营收可望大幅成长。
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