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战斗民族放大绝！俄罗斯 2028 年要量产 7 奈米制程微影曝光设备
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发布时间：
2022 年 10 月 24 日 7:00
记者署名：
作者 Atkinson
原文内容：
Tomshardware 报导，一家俄罗斯研究单位正在研究开发半导体微影曝光设备，预计可生
产 7 奈米制程芯片。计画 2028 年完成，可能比 ASML Twinscan NXT:2000i 效能更高。
而 ASML 开发 Twinscan NXT:2000i 花了超过 10 年。
2 月 24 日俄乌战争爆发后，美国、英国和欧盟制裁俄罗斯，禁止几乎所有先进晶圆厂与
俄罗斯合作。台湾也迅速禁止向俄罗斯供应先进芯片。英国制裁下，Arm 也不能将新半导
体硅智财权授权俄罗斯芯片设计厂商。故俄罗斯政府推出国家计画，2030 年要自己开发
28奈米制程技术，并尽可能逆向工程欧美芯片取得技术，也要培养本地人才自制芯片。
俄罗斯想 2030 年量产 28 奈米仍很困难，俄罗斯最先进晶圆厂可制造 65 奈米制程芯片
，且美国等制裁，欧美半导体设备制造商也无法供应半导体设备。俄罗斯想量产 28 奈米
，必须自己设计建造晶圆生产设备，8 年内完成 ASML 和应用材料（Applied Materials
）花了几十年才有的成果。
俄罗斯计画由俄罗斯科学院下属俄罗斯应用物理研究所（Russian Institute of
Applied Physics，IAP）超越所有人预期，到 2028 年研发且量产有 7 奈米制造能力的
微影曝光设备。但晶圆现代微影曝光设备高度复杂，牵涉到高效能光源、精密光学、精确
计算等关键零组件，但俄罗斯最顶尖应用物理研究机构，IAP 相信自己可以短时间开发出
工具。
俄罗斯想量产的设备与 ASML 或 NIKON 等不同。IAP 计划使用大于 600W 的光源，曝光
波长为 11.3 奈米（EUV 波长为13.5 奈米），需要比现在更复杂的光学元件。因光源功
率相对较低，体积更紧凑，更容易制造，但代表微影曝光设备芯片产量将大大低于现代深
紫外（DUV）微影曝光设备。IAP 表示这不会是问题。
32 奈米以下制程，目前主流是沉浸式微影曝光设备。ASML 于 2003 年底推出第一款沉浸
式微影曝光设备 Twinscan XT:1250i，并在 2004 年第三季交货，生产 65 奈米逻辑芯片
和 70 奈米等级 DRAM。之后花了约 5 年 2008 年底宣布推出支援 32 奈米的 Twinscan
NXT:1950i 沉浸式微影曝光设备，2009 年交货。
以上代表技术领先者 ASML 约花 9 年才在 2018 年交货支援 7 奈米和 5 奈米制程的
Twinscan NXT:2000i DUV。再从 ASML 产品发展历程看，从 65 奈米发展到 7 奈米，总
计花了 14 年。现在没有任何经验或与芯片制造商没有任何关系的俄罗斯 IAP，打算 6
年从头制造支援 7 奈米制程的微影曝光设备，听起来实在不可行，但 IAP 充满热情。
俄罗斯科学院微结构物理研究所副所长 Nikolai Chkhalo 表示，全球微影曝光技术领导
者 ASML 近 20 年来一直在开发 EUV 微影曝光设备，且非常复杂，但 ASML 目标是保持
世界最大晶圆厂极高生产力。俄罗斯为科学技术发展，没人需要如此高生产力。IAP 将从
俄罗斯国内需求和任务出发，微电子学不是数量，而是品质。需转移到自己的制造技术，
自己订定设计标准，自己发展工具、工程、材料。走自己的路不可避免。
据发展时程，IAP 计画 2024 年前建造功能齐全的首代微影曝光设备设备，不必具备高生
产率或最大分辨率，只要能运作，对潜在投资者有吸引力。之后 IAP 打算 2026 年前制
造有更高生产力和分辨率的微影曝光设备测试版。这时这套机器应该可量产晶圆，但生产
力不会达最大。终极版 2028 年问世，不但能取得高性能光源，且有更优计算量测和整体
能力。不过还未公布 IAP 与合作伙伴会生产多少设备。
还有一个问题，就是晶圆厂设备不只微影曝光设备，还有其他设备负责蚀刻、沉积、抗蚀
剂去除、计量和检测等，俄罗斯也都没有制造。还有一些不太先进的机器，如纯氧和纯水
生产系统，俄罗斯也没有生产，还需在禁运国家之外，寻找晶圆所需硅晶圆材料。即使
IAP 设法做出微影曝光设备，仍需继续做出其他设备，才能建造现代化晶圆厂。
心得/评论：
中俄两国都打算启动国家力量发展半导体
俄国看来比中国更夸张
中国半导体至少发展了30年，
2001年联电到中国设厂后有了巨大的进展
但至今7奈米还是无法进入大量生产程度
俄罗斯看起来是想用跳级的方式进入
只是不清楚俄国的科技力有没有到这个程度
(走私程度应该是有，但是端上台面的技术力就很难说了)
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