原文标题：联电22奈米报喜 夺美商航太高密度MRAM订单
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发布时间：3022/09/13 09:31
记者署名：记者洪友芳
原文内容：
晶圆代工厂联电（2303）与专精MRAM技术的创新公司Avalanche Technology 于今（13）日
宣布推出高可靠度的持续性静态随机存取内存 （ P-SRAM），此第三代产品采联电的22奈
米制程生产，为Avalanche Technology最新一代自旋转移矩磁性内存 （STT-MRAM） 技术
，相较于现有的非挥发性解决方案，更具高密度、耐用性、可靠度和低功耗的优势。
Avalanche Technology行销与商务发展副总经理 Danny Sabour表示，此次新产品的推出，
真正实现市场对高耐用性、高可靠性和高密度的各项应用需求，且无需外部电池、错误修正
代码 （ECC） 或耗损平均技术。由于现今无所不在的传感装置及日益升高的资料处理需求
推升对耐磨损、高持久性内存的需要，公司将很快启动进一步提高16Gb 单芯片解决方案
的开发工作。
联电前瞻发展办公室暨研发副总经理洪圭钧表示，很高兴与技术领导厂商Avalanche Techno
logy合作，将此独立的内存解决方案投入生产，这是一个重要的里程碑，有助于将坚实且
高度可扩展的MRAM解决方案商业化。联电凭借著多元的晶圆专工技术和卓越的制造能力，并
透过此次与 Avalanche Technology 的合作，将满足市场对持久性内存不断提升的需求。
Avalanche Technology首席技术长兼技术与晶圆专工业务副总经理怀一鸣表示，自2006 年
起，Avalanche Technology 持续专注于开发创新垂直式磁穿隧接面 （perpendicular Magn
etic Tunnel Junction, pMTJ） 结构的 STT-MRAM 技术。以领先业界的 pMTJ 和 CMOS 设
计为基础，透过合作伙伴联电，让最先进的高密度和高性能STT-MRAM 产品得以问世。
此产品为Avalanche第三代P-SRAM，Parallel x 32 系列作为标准产品提供各种密度选项，
并具有异步SRAM兼容读/写时序。其数据始终是非挥发性的，并具备领先业界的 >1014 次
写入周期耐久性和1000 年保存期 （在 85°C 下）。两种密度选项均采用小尺寸142-ball
FBGA（15mm x 17mm）封装。这些装置都经由 JEDEC 认证流程确保宽广的 （-40°C 至125
°C） 工作温度范围，每项装置在交付给客户前并都经过 48 小时的老化测试。其他额外认
证选项亦提供给合作伙伴选择。
Avalanche Technology公司是次世代垂直式自旋磁性内存技术（STT-MRAM）的领导厂商，
被公认为在未来单芯片（SOC）系统中取代传统快闪存储器（Flash）和静态随机存取内存
（SRAM）以实现统一内存架构的领先者，可在55、40、28与22奈米制程下实现，并可扩展至
14奈米及更先进制程。凭借在多个几何节点上经过验证的 STT-MRAM 产品以及超过300 项专
利和应用的组合，Avalanche Technology 正实现下一代可扩展统一内存架构以应用于工业
、物联网、航太和储存应用，成为真正的“次世代MRAM 企业”。
心得/评论：
二哥的特殊制程。似乎还不错。反观跟gg差一个字的似乎还要再加油。
手机旺季也到来。iphone卖爆，二哥满手oled DDI订单。营收是要怎么下修 看官怎看？
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