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2024碳化硅起飞成长年，众多厂商加速扩厂
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发布时间：
2022/7/27
记者署名：
Kyle
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全球的制造商正在加速碳化硅（SiC）的制造，目前预计这一成长将从2024年开始真正起
飞。
许多领导SiC的IDM厂商纷纷宣布扩大其制造设施。Wolfspeed在纽约州北部建立一座新的8
吋晶圆厂；博世（Robert Bosch）正在德国增加近40,000平方英尺的新SiC专用洁净室；
罗姆（Rohm）在日本开设一家新厂，目标在未来五年内将SiC制造量提高5倍；英飞凌（
Infineon）开始在马来西亚建设新的SiC工厂；东芝（Toshiba）计划到2024年将SiC产量
提高3倍，到2026年提高10倍。
意法半导体（STMicroelectronics）表示，SiC专用设备的主要挑战是晶圆处理及多种制
程要求。由于宽能隙材料固有的化学物理特性，使得制造商必须在制造流程中使用了新的
设备和制程。与硅为基础的功率元件之制程相比，高温磊晶和离子布植（Ion
implantation）制程和热处理更是需要新设备及制程。
换言之，由于SiC的制程和设计紧密相关，所以主要仍是IDM主导的业务。但晶圆代工厂依
然有机会。
例如：X-Fab是第一家纯SiC代工厂商，早期就增加了专用SiC制造设备，如布植机和SiC磊
晶。因此，X-Fab成功地建立了稳固的SiC客户基础；苏格兰的Clas-SiC是一家全新且全面
营运的端到端加工和生产之开放式6吋晶圆厂，专门针对SiC加工而生。
PowerAmerica联盟指出，通过调整现有制程、设备并购、购买关键的新工具，即可让一条
6吋的硅晶圆生产线以大约2000万美元的价格转换成SiC生产线。这种正为旧硅晶圆厂注入
新活力。
除了制造商之外，设备商也在该市场上进行大量投资。例如：科林（Lam Research）在
SiC制造进行多方部署，包括：SiC沟槽蚀刻、介电沉积和蚀刻、厚金属加工和器件钝化。
随着技术在未来几年从6吋过渡，Lam将专注于确保其应对8吋的关键应用。
应用材料（Applied Materials）推出了两种专用于SiC的新工具。从工程的角度来看，
SiC芯片的功耗取决于汲极电流（Id）的平方和“导通”电阻（Ron）。为了提高效率，应
用材料通过增加电子移动来降低“导通”电阻。为了生产具最高品质表面的均匀晶圆，应
材公司开发了Mirra Durum CMP系统，该系统将抛光、材料去除测量、清洁和干燥整合在
一个系统中。
总之，SiC的崛起正在让IDM和晶圆代工厂分别与相关供应商合作改善其制程，期待能够交
货期缩短，产量增加，并早日能在2024年达到起飞的阶段。
心得/评论：
分析师预测2024年SiC需求开始大增，各大厂商积极布局第三代半导体，台湾的话第三代
半导体目前是以制造端较强，包括台积电、世界先进、稳懋、宏捷科、汉磊、朋程、茂硅
等多有所投入，但积体电路设计、半导体封装及测试等环节较弱。