原文标题：三星寻求2025年量产2奈米 想靠GAA技术弯道超车台积电
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https://udn.com/news/amp/story/6811/6401307
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发布时间：2022-06-20 12:01
※请以原文网页/报纸之发布时间为准
记者署名：经济日报 编译叶亭均／综合外电
※原文无记载者得留空
原文内容：随着晶圆代工龙头台积电（2330）布局2奈米制程在2025年开始量产，韩国三星
电子为了追上台积电，押注3奈米环绕闸极技术（GAA）在晶圆代工领域会改变全局，已规划
好未来三年的3奈米GAA制程技术，并且寻求在2025年让2奈米GAA制程量产。
韩国BusinessKorea报导，GAA是下一代制程技术，改善半导体电晶体的结构，让闸极能够接
触电晶体的四个侧面，有别于当前的鳍式场效电晶体（FinFET）只能接触电晶体三个侧面的
情况。GAA结构可比FinFET制程更精准控制电流。
三星电子押注把GAA技术应用到3奈米制程，以便追赶台积电。三星电子据报导6月初在晶圆
导入3奈米GAA制程进行试验性量产，成为第一家运用GAA技术的公司。与5奈米制程相比，3
奈米制程能将半导体的性能与能源效能分别提高15%与30%，同时让芯片面积减少35%。
报导说，继今年上半年把GAA技术应用于3奈米制程后，三星计划在2023年把GAA技术导入第
二代3奈米芯片，并且在2025年量产基于GAA的2奈米芯片。台积电的策略是今年下半年进入3
奈米半导体市场并采用稳定的FinFET制程，三星电子则押注GAA技术。
BusinessKorea引述专家的说法报导，如果三星在基于GAA技术的3奈米制程取得稳定良率，
可能在晶圆代工市场带来改变全局的效果。台积电预期从2奈米芯片开始导入GAA制程，并在
约2026年推出第一款基于GAA技术的2奈米芯片产品。对于三星电子来说，未来三年将是关键
期。
三星近期宣布将在未来五年内，针对半导体等关键产业投资450兆韩元（约3,600亿美元）。
然而，该公司在3奈米制程面临障碍。三星已将晶圆放入3奈米制程进行试验性量产，但由于
遭遇良率低的问题，一直延后宣布正式量产。
三星电子押注GAA制程技术能协助该公司追上台积电的晶圆代工制程进度。路透
三星电子押注GAA制程技术能协助该公司追上台积电的晶圆代工制程进度。路透
报导说，台积电也遭遇类似问题。台积电原定7月起以3奈米技术为英特尔和苹果量产半导体
，但一直无法达到想要的良率水准。绘图芯片大厂辉达（NVIDIA）为GeForce RTX40 GPU系
列支付台积电多达90亿美元采用3奈米制程生产，然而，将取得5奈米的产品而非3奈米的产
品。电子时报曾报导，台积电在3奈米取得想要的良率水准面临困难，已数次修改技术蓝图
。
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弯道超车算不算支语啊 怎么最近越来越多记者用这术语
有没有业内人士出来分享这篇报导说的
三星2奈米 在2025量产 到底是真的还是唬烂