原文标题：
工研院携手台积电 开发前瞻磁性内存技术
原文连结：
https://news.cnyes.com/news/id/4892182
发布时间：
2022/06/15 13:14
记者署名：
钜亨网记者林薏茹
原文内容：
工研院今 (15) 日宣布，与晶圆代工龙头台积电 (2330-TW)(TSM-US) 合作，开发前瞻的
自旋轨道扭矩磁性内存 (SOT-MRAM) 阵列芯片，未来可整合成先进制程嵌入式内存，
应用再人工智能、车用电子、高效能运算芯片等领域。
工研院电子与光电系统所所长张世杰表示，MRAM 有媲美静态随机存取内存 (SRAM) 的
写入、读取速度，兼具快闪存储器非挥发性，近年来已成为半导体先进制程、下世代记忆
体与运算的新星。
张世杰指出，内存若在高写入速度的前提下，使用的电压电流越小，则代表效率越高。
工研院携手台积电共同发表具备高写入效率与低写入电压 SOT-MRAM 技术，达成 0.4 奈
秒高速写入、7 兆次读写的高耐受度，比比利时微电子研究中心 (IMEC) 多 100 倍，还
有超过 10 年资料储存能力。
另一方面，工研院也携手国立阳明交通大学研发出工作温度横跨近 400 度的新兴磁性记
忆体技术，优化自旋转移矩磁性内存 (STT-MRAM) 的多层膜与元件，具备提高写入速度
、缩短延迟、降低写入电流与增高使用次数等特色，可应用在量子电脑、航太领域等前瞻
应用与产业。
心得/评论：
DRAM没FU糗了啦～
现在DDR3、DDR4中国抢单，DDR5降价
GG现在又要搞新型MRAM
光光下看55；牙科下看50
内存寒冬天天都随外资喊