※ 引述《pp520 (异理啊议!!!)》之铭言：
: ※ 引述《empliu (冬马党中央政治局委员)》之铭言：
: : 原文标题：台积电稳了！死敌3奈米良率惨况曝光 难怪订单全被砍
: : 台积电为全球晶圆代工龙头，后面有三星、英特尔等追兵紧跟，不过近期有外媒披露三星
: : 的制程良率报告指出，三星4奈米的良率仅35%，3奈米甚至只有10%至20%，种种状况让大
: : 客户高通不得不紧急抽单，转由台积电进行代工。
: : 外媒wccftech报导，最新报告显示，三星不只在4奈米量产过程遇到困难，在3奈米GAA技
: : 术也遇到瓶颈，先前该公司虽展现在3奈米GAA技术的突破，但良率仅落有10至20%。
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: : 三星4奈米制程虽然有35%良率，但是台积电4奈米制程的良率高达70%
: 这是利空吧 !! 先假设这新闻是真的
: 现在是 2022，台积电要 2025 才会开始做 GAA
: 也就是说三星 比台积电早 3 年做出 GAA 的产品，而且良率还有 10~20%
: 想想，三星还有三年时间可以仔细摸索 GAA 的特性以，及提升良率
: 三年内不断利用 DRAM 获利挹注奶水，研发 GAA
: 三年后，万一 三星 GAA 真的玩出一片天
: 不要说超越 GG，只要能跟 GG 差不多就可以了
: 高通，辉达 这些厂商一定跑掉，并且 两边下单
: 虽然我是挺 GG 的一方，但这篇新闻，我会以利空解读，感觉上是埋下一个未来的隐忧
帮补一篇旧闻 2022/01
https://ctee.com.tw/news/tech/576509.html
三星拼2奈米2025超车台积 业界却爆这弱点
先进制程目前仅剩下台积电、英特尔以及三星电子竞争，三星更抢先在2022年上半年量产
3奈米制程GAA技术，台积电则是延用FinFET架构、在今年下半年量产3奈米制程，但业界
爆料，三星无论在良率、客户关系与效能表现，都不如台积电，但三星提早导入GAA技术
，双方预计在2025年量产2奈米制程，届时双方将同时采用GAA技术下分出胜负。
从过去三星试图在晶圆代工制程弯道超车的纪录来看，2007年苹果推出首款采用ARM架构
设计的A系列处理器，采用三星晶圆代工制程，但在苹果打算培养第二供应商，2010年才
开始与台积电合作。
直至2014年iPhone 6世代，台积电全拿A8处理器订单，采用双重曝刻（Double
Patterning）量产20奈米制程。跳槽到三星的台积电前资深研发处长梁孟松，是带领三星
从28奈米制程直接跳过面临困境的20奈米制程，直接采用14奈米制程，并采用FinFET架构
，成功取得本来也该由台积电全拿A9处理器芯片，三星甚至拿到部分高通订单，当时台积
电则是采用16奈米FinFET制程，一度让外界以为台积电制程工艺落后给三星。以台积电的
说明来看，推出16奈米FinFET强效版制程（16FF+），由于良率与效能的快速攀升，16FF+
制程已于2015年7月领先业界进入量产，16奈米制程也是台积电首颗FinFET架构的芯片。
然而，三星14奈米制程生产的A9处理器芯片，传出搭载的iPhone续航力比不上台积电16奈
米制程，虽然苹果声称没有影响，但还是让消费者对其产生疑虑，最终A10芯片仍有台积
电独家拿下订单，至此之后，三星再无打入苹果芯片代工制造的行列。
据Digitimes报导，随着联电、格芯等晶圆代工厂陆续退出先进制程竞争行列，加上美国
禁令压抑中芯国际、英特尔想要重返晶圆代工业务并全力冲刺，也有很多阻碍要克服，以
制程良率与产能来看，仍只有台积电、三星可以竞争，尤其以台积电的高良率、客户合作
紧密与接单表现来看，台积电5/7奈米制程市占率预估高达9成，三星就算拥有高通高阶晶
片、NVIDIA RTX 30系列显卡订单仍以8奈米制程为主，让台积电在最新的先进制程拥有压
倒性竞争能力。
不过，三星仍靠着一站式服务替IT巨头量身打造芯片，甚至也多次抢下特斯拉的自驾车晶
片，加上在韩国政府倾力挹注资源下，台积电势必面临庞大压力，最近的就在GAA技术，
三星抢先在3奈米制程就导入，台积电则是等到2奈米制程才导入。
台积电总裁魏哲家在去年10月法说指出，台积电3奈米制程(N3)发展符合进度，于2021年
下半年开始试产，并预计2022年下半年量产，强化版的3奈米制程(N3E)预计在N3量产1年
后量产。但报导指出，台积电实际上在3奈米制程推进上面临阻力，加上3奈米的营收贡献
要等到2023年上半年才会浮现，导致市场对台积电3奈米制程发展延迟浮现隐忧。
三星3奈米GAA技术信誓旦旦要在今年上半年量产，并说明3奈米技术良率已经逐步贴近三
星4奈米，下一代的3奈米预计于2023年量产，采用MBCFET技术的2奈米制程则是还在早期
开发阶段，预计2025年量产。
但实际上，三星3奈米的良率与效能表现仍差距台积电3奈米一大截，甚至取得高通的产品
也是以低价抢单，毛利表现根本比不上，加上国际大厂想要转单的成本已经变得相当高昂
，用得起的厂商也更追求最佳效能表现，市场传闻NVIDIA归来、英特尔新订单也瞄准台积
电3奈米，基本上台积电竞争优势可以延续至3奈米制程。
去年11月ITF大会上，半导体产业大脑imec（比利时微电子研究中心）公布的蓝图显示，
2025年后电晶体架构进入埃米时代，三星在GAA量产技术的着墨所花费的时间上比台积电
领先， IBM在2奈米GAA技术持续推进，按照过往双方密切合作纪录，预料三星将获得助力
，双方甚至提出垂直传输场效应电晶体(VTFET)，突破1奈米以下制程限制。
台积电董事长刘德音也曾指出，台积电2奈米制程将转向采用GAA架构，提供比FinFET架构
更多的静电控制，改善芯片整体功耗。台积电也在去年5月宣布，与台湾大学、美国麻省
理工学院（MIT）携手，发现二维材料结合半金属铋（Bi）能达到极低的电阻，接近量子
极限，有助于实现半导体1奈米以下的艰钜挑战。
至于英特尔，则是在去年7月公布的最新制程蓝图指出除了针对为Intel 7、Intel 4、
Intel 3正名之外，也透露Intel 20A、Intel 18A 等先进制程，并采用自家研发的GAA技
术RibbonFET，以及芯片背面供电的Power Via 设计，抢先公布了在埃米时代的布局，若
英特尔真的能每年更新制程节点，预料2025年除了是当今先进制程2大巨头的决战之外，
更是决定未来晶圆代工领域由谁能抢先在埃米时代称霸的关键战役。