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创意电子发布2.5D与3D多晶粒APT设计平台
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发布时间：
20220310
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先进客制化IC(ASIC)领导厂商创意电子(GUC)今日发布，推出采用台积电2.5D与3D先进封
装技术(APT)制程的平台，除了可缩短ASIC设计周期，更有助于降低风险及提高良率。此
平台可支援台积电CoWoS-S、CoWoS-R与InFO技术。创意电子可提供全方位解决方案：完成
硅验证的接口IP、CoWoS与InFO信号及电源完整性、热模拟流程，以及经产品量产验证的
可测试性设计(DFT)与生产测试。
创意电子拥有多年配备高频宽内存(HBM)的CoWoS-S(硅中介层)产品量产经验。InFO设计
与模拟流程搭配内部N7与N5 GLink IP(GLink为创意电子的晶粒对晶粒接口IP系列产品)也
已完成硅验证。近来创意电子使用N5制程4Gbps HBM2E实体层与控制器IP，完成了
CoWoS-R(有机中介层)测试芯片验证。目前创意电子拥有一整套经过完整硅验证的接口IP
与封装设计，可适用于所有类型的台积电2.5D先进封装技术，因此，创意电子可针对客户
的CPU、GPU、人工智能(AI)、高效能运算(HPC)和网络 (Networking)产品，提供最适宜的
解决方案。
2.5D多晶粒整合技术如今已趋成熟，创意电子也已在多个客户产品上广泛运用，新兴的3D
多晶粒整合技术则可进一步达到更优异的连线密度、功耗效率与极低延迟。创意电子领先
ASIC产业，推出GLink晶粒堆叠晶粒接口IP，并率先采用台积电N5和N6制程。IP、设计与
模拟流程将于2022年完成硅验证，应用于不同的3D IC封装。
创意电子总经理戴尚义表示：“创意电子在2021年开发出新一代HBM3、GLink-2.5D与
GLink-3D等IP，并完成CoWoS-S/R与InFO设计平台验证，可说是经历了突破性的进展。创
意电子一直与台积电协力合作，致力降低最先进2.5D与3D技术的使用门槛，让客户能开发
具成本效益的高效能产品，并更快进入量产。创意电子至今已成功协助许多AI、HPC和网
路客户，采用台积电CoWoS-S及InFO技术制造产品。随着CoWoS-R与3DIC加入APT平台，我
们将能为客户提供最完备的设计与制造服务。”
创意电子技术长Igor Elkanovich表示：“我们不仅在市场中率先推出HBM3实体层IP，
HBM3控制器的效能表现也是同业最佳。我们推出的晶粒对晶粒互联GLink-2.5D IP 更是领
先业界，达到2.5 Tbps/mm边界效率(全双工)及0.30 pJ/bit低功耗。这些IP都适用于台积
电所有类型的2.5D平台中。内部IP、支援所有台积电2.5D与3D的设计流程，加上丰富的量
产经验，让创意电子能协助客户迅速开发其产品，并快速进入大规模生产。”
心得/评论：
跟晶心科一样都是好爸爸概念股
这只主要还是吃GG的单
之前喷上661
今天收475 ↑20.5 +4.51%
2021年全年EPS是10.9
设计服务总是很难抓本益比
留给高手玩吧